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灵活的编程环境满足不同用户对存储器和I/O口的要求

发布时间:2023/7/26 19:07:17 访问次数:46

一流的降噪表现和业界最低的标准化PLL本底噪声-236dBc/Hz和1/f -129dBc/Hz,有助于提高辐射敏感度和光谱分辨率。

最多五个设备才能执行的频率斜升功能,减少了所需的设备,而板载LDO也进一步简化了设计过程。

一个32位小数分频器,可以优化频率选择并且同时支持小数N分频和整数N分频模式。此器件在7.5 GHz频率下提供45 fs RMS抖动,支持JESD204B SYSREF、相位同步和频率斜升自动生成来简化高性能微波与毫米波系统设计。

超级电容器充电器和后备电源控制器IC,包括了热插拔前端保护以及所有必要功能,以提供一个完整、独立、基于电容器的后备电源解决方案。

集成的热插拔控制器和电路断路器采用N沟道MOSFET,提供从输入到输出的低损耗通路,并通过折返电流限制来降低浪涌电流。

LTC3351提供PowerPath™控制、电容器堆栈充电与平衡、保护以及电容器健康监视。其他应用还包括大电流12V穿越电源和短期不间断电源(UPS),用于服务器、海量存储器和高可用性系统。 

移位寄存器74LS164仅有串入并出作用没有译码功能。因此,在编写显示驱动程序之前,首先需要计算列写出与本电路对应的LED段选码,然后由S3F9454单片机端口送入74LS164的串行输入端。再并行输出到LED的段选端。

集成了超级电容和高能电池的Nesscap赝电容器。

Nesscap赝电容器具有高能量密度,加上通常来自超级电容器的快速能量传输,以及相对较高的存储容量,这种出类拔萃的特性组合使得它们特别适用于不可以停机,并且必须可立即通过故障切换来解决电源故障的关键任务应用。


一流的降噪表现和业界最低的标准化PLL本底噪声-236dBc/Hz和1/f -129dBc/Hz,有助于提高辐射敏感度和光谱分辨率。

最多五个设备才能执行的频率斜升功能,减少了所需的设备,而板载LDO也进一步简化了设计过程。

一个32位小数分频器,可以优化频率选择并且同时支持小数N分频和整数N分频模式。此器件在7.5 GHz频率下提供45 fs RMS抖动,支持JESD204B SYSREF、相位同步和频率斜升自动生成来简化高性能微波与毫米波系统设计。

超级电容器充电器和后备电源控制器IC,包括了热插拔前端保护以及所有必要功能,以提供一个完整、独立、基于电容器的后备电源解决方案。

集成的热插拔控制器和电路断路器采用N沟道MOSFET,提供从输入到输出的低损耗通路,并通过折返电流限制来降低浪涌电流。

LTC3351提供PowerPath™控制、电容器堆栈充电与平衡、保护以及电容器健康监视。其他应用还包括大电流12V穿越电源和短期不间断电源(UPS),用于服务器、海量存储器和高可用性系统。 

移位寄存器74LS164仅有串入并出作用没有译码功能。因此,在编写显示驱动程序之前,首先需要计算列写出与本电路对应的LED段选码,然后由S3F9454单片机端口送入74LS164的串行输入端。再并行输出到LED的段选端。

集成了超级电容和高能电池的Nesscap赝电容器。

Nesscap赝电容器具有高能量密度,加上通常来自超级电容器的快速能量传输,以及相对较高的存储容量,这种出类拔萃的特性组合使得它们特别适用于不可以停机,并且必须可立即通过故障切换来解决电源故障的关键任务应用。


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