内置AGC功能确保出色声音再现并进一步有助于延长电池寿命
发布时间:2023/7/25 20:40:30 访问次数:94
低功耗与高解析度的视觉表现,适用于超音波、齿科3D图像显示等需要高性能医疗影像器材应用。
接近和位移传感器市场主要是由上涨高效的生产方法的需求,日益认识到可穿戴技术,并提高应用在汽车和制造业。通过产品,市场上可以分割成电容传感器,超声波传感器,磁传感器,LVDT传感器,光电传感器,电感式传感器和其他。
接近和位移传感器发现应用在多个行业,如汽车,加工工业,制药,食品和饮料,以及工业制造。
一个350W/50Ω全匹配的GaN HEMT是最高功率C波段晶体管可在市场上。一个500W/50Ω的GaN HEMT,最高功率S波段晶体管完全匹配到50Ω的单端封装的尺寸。
Cree的新的C波段和S波段的产品打破电力纪录住在一个小的封装50ΩGaN功率和效率的表现。这种高效的功率晶体管能够达到所需的防御,天气和空中交通管制雷达多千瓦功率放大器的结合经济,
如果我们认为值得的数字输出功率相对RF至50Ω封装的面积,Cree的350W C波段装置了约3.5倍击败最接近商业化的GaN竞争对手。
使用功德的数字相同,Cree的500W S波段设备提升了45%,比其他商业S波段的产品。
高效率D类音频功率放大器和集成式升压转换器,该PAM8905驱动高达1.9W到一个8Ω扬声器,只有1%的总谐波失真加噪声(THD+N)。
升压电路的完全同步拓扑减少了外部元件,以达到更高的效率和最大限度地提高了放大器的输出功率比标准放大器直接连接到电池。内置的AGC功能可确保出色的声音再现,并进一步有助于延长电池寿命。
低功耗与高解析度的视觉表现,适用于超音波、齿科3D图像显示等需要高性能医疗影像器材应用。
接近和位移传感器市场主要是由上涨高效的生产方法的需求,日益认识到可穿戴技术,并提高应用在汽车和制造业。通过产品,市场上可以分割成电容传感器,超声波传感器,磁传感器,LVDT传感器,光电传感器,电感式传感器和其他。
接近和位移传感器发现应用在多个行业,如汽车,加工工业,制药,食品和饮料,以及工业制造。
一个350W/50Ω全匹配的GaN HEMT是最高功率C波段晶体管可在市场上。一个500W/50Ω的GaN HEMT,最高功率S波段晶体管完全匹配到50Ω的单端封装的尺寸。
Cree的新的C波段和S波段的产品打破电力纪录住在一个小的封装50ΩGaN功率和效率的表现。这种高效的功率晶体管能够达到所需的防御,天气和空中交通管制雷达多千瓦功率放大器的结合经济,
如果我们认为值得的数字输出功率相对RF至50Ω封装的面积,Cree的350W C波段装置了约3.5倍击败最接近商业化的GaN竞争对手。
使用功德的数字相同,Cree的500W S波段设备提升了45%,比其他商业S波段的产品。
高效率D类音频功率放大器和集成式升压转换器,该PAM8905驱动高达1.9W到一个8Ω扬声器,只有1%的总谐波失真加噪声(THD+N)。
升压电路的完全同步拓扑减少了外部元件,以达到更高的效率和最大限度地提高了放大器的输出功率比标准放大器直接连接到电池。内置的AGC功能可确保出色的声音再现,并进一步有助于延长电池寿命。