MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET为低压电源设计人员提高计算机、电信网络、工业、消费电子产品的能效创造新的机会。

整合最先进的功率晶体结构和尺寸紧凑且高热效率的PowerFLAT 8x8 HV封装技术，推出世界上功率密度最好的[1]功率晶体管解决方案。

功率晶体管产品包括集成快速恢复二极管、击穿电压650V的各种超结功率MOSFET。包括低栅电荷量、低输入电容、低输入电阻、内部二极管的快速恢复、极低的恢复电荷量(Qrr)、极短的恢复时间(Trr)和业内最好的软开关性能在内的技术参数让新产品领先于竞争对手。

新型功率电感器的最突出特点在于其极其紧凑的外形设计，封装尺寸仅为19.9x20.5mm，并且安装高度为8.35mm(1.0μH)～10.85mm(30μH)，具体视型号而定。这种薄型化设计基于扁平线螺旋绕制技术，可降低电感器的损耗。电感器的直流电阻为1.20～18.65mΩ。

B82559*A019系列大电流扼流圈专门设计用于-40°C～+150°C的温度范围，适合在各种电源拓扑结构中的输出和储能应用，包括负载点(POL)转换器、DC-DC变换器、大电流开关电源和xEV应用等。新系列元件符合RoHS标准，并且即将通过AEC-Q200认证。

二极管可以改进应用的效率、可靠性和热管理，例如功率因数校正、DC-DC转换器内的降压或升压级与逆变器级（开关模式电源、太阳能、UPS和工业驱动器）内的续流二极管和高频输出整流。

同类中最佳的电容存储电荷和近零反向恢复使得这些器件适于高频电源转换，保证实现极小的开关损耗，减轻开关的压力。

其它主要优势包括同类中最佳的正向电压降和175℃的最高结温，保证实现低传导损耗，提供更大的设计余量，降低热管理要求。

这些二极管采用TO-220双引线和TO-247三引线封装。