在300℃的温度下稳定运行1000小时以上。已经对包含2个1,200V碳化硅（SiC）双极结型晶体管（BJT）进行了测试，在室温和300℃下分别切换了500V和200V电压。BJT由驱动器电路控制，利用Raytheon专有的高温碳化硅（HiTSiC）工艺制造而成。

BJT基驱动器电路和功率晶体管共同存在于单个高温模块之中是该行业的一个重大突破。

在许多情况下，有必要以几十kHz的频率切换功率级晶体管，并且需要让驱动器电路尽可能地靠近功率晶体管。

例如，500万次采样/秒的12位模数转换器、内部基准电压电路和超低功耗电压比较器。

所有产品均体现意法半导体低功耗创新技术的优势，其中 FlexPowerControl(FPC)为模拟外设、USB电路和I/O端口门控电源单独电源电压域。数据处理模式(BAM)实现高能效数据采集，七种低功耗模式下面还有深度低功耗子模式，在各种工况下最大限度提升节能效果。

8字节(64比特)模块组成，每块上都有氯原子空穴标记，就像机票上的扫描条形码，携带每个模块在铜层上的精确位置信息。如果其中一块因污染或表面腐蚀而被损坏，即使铜的表面并不完美，存储器也能很容易地扩展升级。

板对板（BTB）和线对板（WTB）单接点组设计，采用优质接点材料构建而成，让工程师能够满足恶劣的商业、工业、医疗、交通和固态照明应用严格的成本、性能和耐用性要求。

设计和开发，表面贴装PowerPAK SO-8L封装完全符合RoHS，无卤素，无铅。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸为5mm x 6mm，占板空间和高度只有TO-252(DPAK)封装器件的一半.