韩国手机制造商选用飞兆的RF功率放大器
发布时间:2007/9/5 0:00:00 访问次数:261
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)最近宣布，其高性能线性RF功率放大器模块(PAM) RMPA1959获韩国第三大移动电话制造商Pantech & Curitel选用于其手机设计中。飞兆半导体韩国总裁Deok Jung Kim代表公司接受了Pantech & Curitel为表扬RMPA1959的出色性能及飞兆半导体提供的优异技术服务而颁赠的特别荣誉奖状。
RMPA1959线性RF功率放大器采用紧凑型4x4 mm LCC封装，在平均输出功率+28 dBm时具有39%的CDMA效率。该器件采用飞兆半导体专利的InGaP异质结双极晶体管(HBT)技术，因此具有很低的功耗和卓越的线性度，不但能减少手机使用中耗电峰值期的电流消耗，而且提供多项重要的性能优点。这款无铅线性RF功率放大器能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D标准要求，并符合将于2005年生效的欧盟标准。
Pantech & Curitel研发技术部的资深要员Tae Hyo Lee说道：“飞兆半导体的RMPA1959功率放大器模块是高性能和多功能的解决方案，能适合我们的移动电话设计以满足全球市场的需要。该器件的输出功率、线性度和紧凑封装，加上强大的技术服务和支持作为后盾，是协助我们进行尖端手机设计的重要因素，使我们对大批量生产的可靠性和适应性充满信心。”
（转自 国际电子商情）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)最近宣布，其高性能线性RF功率放大器模块(PAM) RMPA1959获韩国第三大移动电话制造商Pantech & Curitel选用于其手机设计中。飞兆半导体韩国总裁Deok Jung Kim代表公司接受了Pantech & Curitel为表扬RMPA1959的出色性能及飞兆半导体提供的优异技术服务而颁赠的特别荣誉奖状。
RMPA1959线性RF功率放大器采用紧凑型4x4 mm LCC封装，在平均输出功率+28 dBm时具有39%的CDMA效率。该器件采用飞兆半导体专利的InGaP异质结双极晶体管(HBT)技术，因此具有很低的功耗和卓越的线性度，不但能减少手机使用中耗电峰值期的电流消耗，而且提供多项重要的性能优点。这款无铅线性RF功率放大器能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D标准要求，并符合将于2005年生效的欧盟标准。
Pantech & Curitel研发技术部的资深要员Tae Hyo Lee说道：“飞兆半导体的RMPA1959功率放大器模块是高性能和多功能的解决方案，能适合我们的移动电话设计以满足全球市场的需要。该器件的输出功率、线性度和紧凑封装，加上强大的技术服务和支持作为后盾，是协助我们进行尖端手机设计的重要因素，使我们对大批量生产的可靠性和适应性充满信心。”
（转自 国际电子商情）
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