把整块半导体分成二部分,中问部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种,从二个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c,三极管的PN结有两种,第一种是发射区和基区之间的发射结,另一种是集电区和基区之间的集电结。

而一般的三极管中都有PNP和NPN两种类型,它们之间的区别是:PNP型发射结产生的是“空穴”,与电流方向一致,PN结的导通方向朝里;

NPN型发射结产生的是自由电子,与电流方向相反,PN结的导通方向朝外。

三极管的主要参数包括直流参数、交流参数和极限参数。

三极管的直流参数，三极管的四种开路为:

集电极在Ie=o时,代表着1cbo(基极反向饱和电流)为发射极开路,基极反向饱和电流意为将反向电压Vcb加压在基极和集电极两者之问,因为这个参数在一定温度下表现稳定,时常为一个常数,所以称作反向饱和电流。

Icbo很小的三极管一般制作良好,而硅管三极管的Icbo是毫微安级,可以说是非常小。

那么,如何才能确定电流做功的多少呢9我们可以通过物理公式来了解,用“U”来表示电压,用“t”来表示时问,用“W”表示电功。

电功的计算公式为:W=UItc

对此,可以理解为在一段电路上电流所产生的能量(功)和这段电路的电压、电路中流过的电流和通电时间的乘积相等。