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Tezzaron Semiconductor公司推出一种比采用传统设计的微控制器快10倍的新型三维(3D)8051微控制器

发布时间:2007/9/5 0:00:00 访问次数:408

      Tezzaron Semiconductor公司日前宣布推出一种比采用传统设计的微控制器快10倍的新型三维(3D)8051微控制器。

  该微控制器内核采用RISC指令集和浮点设计。据该公司介绍,这种“超级8051”产品内含1,000万个晶体管,主要面向高端嵌入式应用。这种3D芯片采用Tezzaron的FaStack晶圆堆叠工艺制造。垂直方向上的短线连接可对SRAM进行快速存取,工作频率达225MHz,反应时间3ns。采用180nm工艺加工的裸片尺寸为3.7×3.6mm。最终完成的芯片为标准的132PGA封装。

  韩国的MagnaChip Semiconductor与Tezzaron上月曾宣布达成合作,将使他们力推的芯片成为世界首例真正的3D芯片。Tezzaron还称,它所推出的芯片是世界首例可重编程的3D RAM芯片。Tezzaron将要推向市场并销售的芯片已通过测试,时钟频率可超过500MHz,反应时间小于2ns。

  (文章来源:中国元器件在线)

      Tezzaron Semiconductor公司日前宣布推出一种比采用传统设计的微控制器快10倍的新型三维(3D)8051微控制器。

  该微控制器内核采用RISC指令集和浮点设计。据该公司介绍,这种“超级8051”产品内含1,000万个晶体管,主要面向高端嵌入式应用。这种3D芯片采用Tezzaron的FaStack晶圆堆叠工艺制造。垂直方向上的短线连接可对SRAM进行快速存取,工作频率达225MHz,反应时间3ns。采用180nm工艺加工的裸片尺寸为3.7×3.6mm。最终完成的芯片为标准的132PGA封装。

  韩国的MagnaChip Semiconductor与Tezzaron上月曾宣布达成合作,将使他们力推的芯片成为世界首例真正的3D芯片。Tezzaron还称,它所推出的芯片是世界首例可重编程的3D RAM芯片。Tezzaron将要推向市场并销售的芯片已通过测试,时钟频率可超过500MHz,反应时间小于2ns。

  (文章来源:中国元器件在线)

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