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单晶上制备两个能相互影响的PN结组成一个PNP(或NPN)结构

发布时间:2023/7/2 13:54:09 访问次数:25

三极管在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。

三极管的接法及电流分配,在对三极管的电流放大作用进行讲解之前,首先了解―下三极管在电路中的接法,以及各电极上电流的分配。以NPN三极管为例,为一个三极管各电极电流分配。

电源风给三极管集电结提供反向电压,电源凡给三极管发射结提供正向电压。

电路接通后,就有三支电流流过三极管,即基极电流IB、集电极电流Ic和发射极电流IE。其中三支电流的关系为:IE=IB+Ic,这对PNP型三极管同样适用。


在测量电压的时候要将旋钮(VARIABLE)顺时针旋至最大值,即旋至CAL(校正)位置。读数过程如下:

观察波形垂直方向的大小,图示状态为3格(DIⅤ)。

开关的位置为:1Ⅴ/cm(电压值/格)。

使用示波器探头,衰减10:1。

被测电压信号幅度为Ⅴ=3(格)×IⅤ/格×10=30V。

信号周期的测量:仍以信号波形为例,将水平轴微调钮顺时针旋至最大值,即旋至CAL(校正)位置,其他旋钮的位置不变。

电源键钮区

电源开关(POWER):按出为关,按人为开。

电源指示灯。

亮度旋钮(INTENSITY):接通电源之前将该旋钮逆时针方向旋转到底。

聚集旋钮(FOCUS):配合亮度旋钮可调节波形的清晰度.

光迹旋转旋钮(TRACEROTAT1oN);用于调节光迹与水平刻度线平行。

刻度照明旋钮(SCALEILLUME):用于调节屏幕刻度亮度。

三极管在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结,组成一个PNP(或NPN)结构。

三极管的接法及电流分配,在对三极管的电流放大作用进行讲解之前,首先了解―下三极管在电路中的接法,以及各电极上电流的分配。以NPN三极管为例,为一个三极管各电极电流分配。

电源风给三极管集电结提供反向电压,电源凡给三极管发射结提供正向电压。

电路接通后,就有三支电流流过三极管,即基极电流IB、集电极电流Ic和发射极电流IE。其中三支电流的关系为:IE=IB+Ic,这对PNP型三极管同样适用。


在测量电压的时候要将旋钮(VARIABLE)顺时针旋至最大值,即旋至CAL(校正)位置。读数过程如下:

观察波形垂直方向的大小,图示状态为3格(DIⅤ)。

开关的位置为:1Ⅴ/cm(电压值/格)。

使用示波器探头,衰减10:1。

被测电压信号幅度为Ⅴ=3(格)×IⅤ/格×10=30V。

信号周期的测量:仍以信号波形为例,将水平轴微调钮顺时针旋至最大值,即旋至CAL(校正)位置,其他旋钮的位置不变。

电源键钮区

电源开关(POWER):按出为关,按人为开。

电源指示灯。

亮度旋钮(INTENSITY):接通电源之前将该旋钮逆时针方向旋转到底。

聚集旋钮(FOCUS):配合亮度旋钮可调节波形的清晰度.

光迹旋转旋钮(TRACEROTAT1oN);用于调节光迹与水平刻度线平行。

刻度照明旋钮(SCALEILLUME):用于调节屏幕刻度亮度。

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