使用中应注意的问题。同步电压零点取在电源电压言处,要求将同步信号用电阻作;分压后,通过电容耦合到输人端;积分电容应选用精度较高(误差<5%)的电容器,当r=50 Hz时,取C=0.15 uF左右;6脚不要悬空,以防误动作。

电力半导体器件,电力场效应管(MOsFET) 场效应管是通过改变电场来控制同体材料导电能力的有源器件,具有体积小、质量轻、耗电少、使用寿命长以及输人阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单等优点。根据结构不同。

场效应管分为两大类:结型场效应管(简称J「ET)和绝缘栅型场效应管(简称IGFET)。

但过载能力差,容易发生二次击穿现象。工作频率高。

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是由单极型的MOs管和双极型晶体管复合而成的新型器件,兼有MOs管和晶体管二者的优点,属于电压驱动型器件。它具有输人阻抗高、工作频率高、驱动功率小、饱和压降低、功耗低等特点,还具有大电流处理能力,是很有发展前途的功率电子器件。

电力场效应管、电力晶体管和绝缘栅双极型晶体管在逆变器和斩波器中的应用上述二种功率电子器件共同的特点是都具有自关断能力,因此在逆变器和斩波器电路中获得广泛的应用。

因为在把直流电能转换为交流电能的DC->AC逆变器中,以及在把直流电能的参数(幅值、极性)加以转换的DC→DC斩波器中,都必须要采用辅助换流及在电路中设置独立的换流支路来实现电路之间电流的转换,从而达到逆变和斩波的目的。

电子设备中的干扰可能来自设备的外部和内部,采取防干扰措施时应分别处理。

对于来自外部的十扰,可采用金属屏蔽、一点接地、提高输入电路的输人电平、在输人端和输出端采用去耦电路等防干扰措施。