晶体二极管的电流放大作用 把晶体三极管接在电路中。让发射结处于正向偏置状态、集电结处于反向偏置状态,通过实验,可得到:晶体三极管图形符号、极性，晶体三极管放大状态k=fl+fc-re≈Jc

三极管基极输入的微小基极电流rb引起了集电极电流fc的较大变化,并且规定Δfb (电流放大系数),可得到二极管中电流间的相互关系:rc=ub、rc=Fb+rc=(1+卩)rb.

(硅二极管死区电压约0.5Ⅴ,锗二极管约0.2V)。导通后工极管两端的管压降(硅二极管约0.7Ⅴ,锗二极管约0.3Ⅴ)。在反向特性部分有一个二极管承受反向电压处于截止状态的反向截止区和反向击穿区。

二极管图形符号，二极管伏安特性曲线，晶体二极管的主要参数，最大正向电流在规定的散热条件下二极管长期运行时允许通过的最大正向电流平均值。

反向击穿电压 指二极管所能承受的最高反向电压。超过此值二极管将被击穿。

最高反向工作电压 一般为反向击穿电压的1/2~2/3。

晶体二极管的简易判断，好坏的判断 用万用表R×100Ω或R×1 kΩ挡测量二极管的正反向电阻,如果正向电阻为几十欧至几百欧,反向电阻在200 kΩ以上,可以认为二极管是好的。万用表黑表笔接二极管正极、红表笔接负极时测得的为正向电阻,反之为反向电阻。

二极管的好坏判断，a)正向电阻测量 b)反向电阻测量

极性的判断用万用表测出二极管的正向电阻(阻值较小)时,黑表笔所接的为二极管正极,红表笔为二极管负极。半导体材料的判断 当测得二极管正向电阻时,指针指示在标度尺3/4左右,为锗二极管;指示在2/3左右,为硅二极管。