三极管的基极B集电极C和发射极Ec场效应管的源极S
发布时间:2023/3/10 13:23:34 访问次数:85
场效应管实用知识的结构、工作原理和识别方法等知识对理解场效应管的特性和其在电路中的作用很重要;本节重点讲解这些实用知识。
场效应管的结构,场效应管的品种有很多,按其结构可分为两大类,一类是结型场效应管,另一类是绝缘栅型场效应管,而且每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
场效应管―般都有3个极,即栅极G、漏极D和源极S,为方便理解可以把它们分别对应于三极管的基极B、集电极C和发射极Ec场效应管的源极S和漏极D结构是实际对称的,在使用中可以互换。
下面先对结型场效应管加以介绍,为结型场效应管的结构图及电路图形符号。
在两次测量中,指针偏转量最大的一次(阻值为“170k”的一次),黑表笔接是发射极,红表笔接的是集电极。
观察表盘，测得阻值为“3000k.
观察表盘，发现测量的三极管集电结的反向电阻的阻值为“⒍3k’.
将万用表的红、黑表笔互换位置。
发现测量的三极管集电结的正向电阻的阻值为“无穷大”。
在两次测量中,指针偏转量最大的一次(阻值为“5OOk”的一次),因此
黑表笔接的是发射极,红表笔接的是集电极。
用数字万用表“hFE”挡判断三极管极性现场检测实操.
观察表盘,发现测量的三极管(NPN)发射结反向电阻的阻值为“6.1k”.
观察表盘,发现测量的三极管(NPN)发射结正向电阻的阻值为无穷大。
直插式三极管的测量方法,由于测量的三极管集电结反向电阻的阻值为“63k”,远小于集电结正向电阻的阻值无穷大。
由于电路板设计的要求小型化,所以在很多电路板中都会用贴片三极管取代个头大的直插式三极管。在主板电路中,会看到很多贴片三极管,对于这样的三极管,为了准确测量,一般采用开路测量。
http://yushuokj.51dzw.com 深圳市裕硕科技有限公司
场效应管实用知识的结构、工作原理和识别方法等知识对理解场效应管的特性和其在电路中的作用很重要;本节重点讲解这些实用知识。
场效应管的结构,场效应管的品种有很多,按其结构可分为两大类,一类是结型场效应管,另一类是绝缘栅型场效应管,而且每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
场效应管―般都有3个极,即栅极G、漏极D和源极S,为方便理解可以把它们分别对应于三极管的基极B、集电极C和发射极Ec场效应管的源极S和漏极D结构是实际对称的,在使用中可以互换。
下面先对结型场效应管加以介绍,为结型场效应管的结构图及电路图形符号。
在两次测量中,指针偏转量最大的一次(阻值为“170k”的一次),黑表笔接是发射极,红表笔接的是集电极。
观察表盘，测得阻值为“3000k.
观察表盘，发现测量的三极管集电结的反向电阻的阻值为“⒍3k’.
将万用表的红、黑表笔互换位置。
发现测量的三极管集电结的正向电阻的阻值为“无穷大”。
在两次测量中,指针偏转量最大的一次(阻值为“5OOk”的一次),因此
黑表笔接的是发射极,红表笔接的是集电极。
用数字万用表“hFE”挡判断三极管极性现场检测实操.
观察表盘,发现测量的三极管(NPN)发射结反向电阻的阻值为“6.1k”.
观察表盘,发现测量的三极管(NPN)发射结正向电阻的阻值为无穷大。
直插式三极管的测量方法,由于测量的三极管集电结反向电阻的阻值为“63k”,远小于集电结正向电阻的阻值无穷大。
由于电路板设计的要求小型化,所以在很多电路板中都会用贴片三极管取代个头大的直插式三极管。在主板电路中,会看到很多贴片三极管,对于这样的三极管,为了准确测量,一般采用开路测量。
http://yushuokj.51dzw.com 深圳市裕硕科技有限公司
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
