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电路中RP1动片经R1为场效应晶体管栅极提供电压微调RP1

发布时间:2023/2/27 8:09:58 访问次数:119

小功率场效应晶体管漏极和源极之间有一个寄生二极管,漏极D有反向电压时有保护作用。

场效应晶体管漏极D与源极s之间的阻值受栅极电压的控制。当栅极G电压高于3,5V时,D、s间的阻值趋于0,即饱和导通。

当栅极G电压低于2V时,D、s间的阻值趋于无穷大,相当于短路状态截止其关系曲线

场效应晶体管漏极电流与%s和t/Ds的关系曲线,小功率场效应晶体管的检测电路

小功率场效应晶体管的检测电路,为了测试方便,电路中可用负载电路取代直流电动机,使用指针万用表分别检测小功率场效应晶体管栅极电压和漏极电压,即可判别小功率场效应晶体管的工作状态是否正常。

检测的具体方法如下:

当开关sW1置于0N位置时,小功率场效应晶体臀栅极(G)电压上升为8.5V,VF导通,溽极(D)电压降为0V。

当开关sWl置于0FF位置时,小功率场效应晶体管的栅极(G)电压为0V,VF截止,喝极电压升为12V。

场效应晶体管功能特点与识别检测,晶闸管的种类特点,典型电子产品电路板上的晶间管.

晶闸管是晶体闸流管的简称,是一种可控整流器件,也称为可控硅。

晶闸管在一定的电压条件下,只要有一触发脉冲就可导通,触发脉冲消失,晶闸管仍然能维持导通状态,为电子产品电路板上的晶闸管。


绝缘栅型场效应晶体管放大能力的检测方法,场效应晶体管驱动放大性能的检测,电路中,RP1的动片经R1为场效应晶体管栅极提供电压,微调RP1,分别输出低于8V、8~8.5V、高于8.5V等几种电压,用数字万用表检测场效应晶体管潺极(D)的对地电压,即可了解导通情况。

采用小功率MOS场效应晶体管的直流电动机驱动电路,电路中,当某一开关接通时,电源5V经电阻分压电路为栅极提供驱动电压。栅极电压上升达3.5V。

MOs场效应晶体管饱和导通,电动机得电运转。若开关断开,栅极电压下降为0V,MOs场效应晶体管截止,电动机断电停转,小功率场效应晶体管的工作状态与等效电路.

http://yushuo.51dzw.com/ 深圳市裕硕科技有限公司


小功率场效应晶体管漏极和源极之间有一个寄生二极管,漏极D有反向电压时有保护作用。

场效应晶体管漏极D与源极s之间的阻值受栅极电压的控制。当栅极G电压高于3,5V时,D、s间的阻值趋于0,即饱和导通。

当栅极G电压低于2V时,D、s间的阻值趋于无穷大,相当于短路状态截止其关系曲线

场效应晶体管漏极电流与%s和t/Ds的关系曲线,小功率场效应晶体管的检测电路

小功率场效应晶体管的检测电路,为了测试方便,电路中可用负载电路取代直流电动机,使用指针万用表分别检测小功率场效应晶体管栅极电压和漏极电压,即可判别小功率场效应晶体管的工作状态是否正常。

检测的具体方法如下:

当开关sW1置于0N位置时,小功率场效应晶体臀栅极(G)电压上升为8.5V,VF导通,溽极(D)电压降为0V。

当开关sWl置于0FF位置时,小功率场效应晶体管的栅极(G)电压为0V,VF截止,喝极电压升为12V。

场效应晶体管功能特点与识别检测,晶闸管的种类特点,典型电子产品电路板上的晶间管.

晶闸管是晶体闸流管的简称,是一种可控整流器件,也称为可控硅。

晶闸管在一定的电压条件下,只要有一触发脉冲就可导通,触发脉冲消失,晶闸管仍然能维持导通状态,为电子产品电路板上的晶闸管。


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采用小功率MOS场效应晶体管的直流电动机驱动电路,电路中,当某一开关接通时,电源5V经电阻分压电路为栅极提供驱动电压。栅极电压上升达3.5V。

MOs场效应晶体管饱和导通,电动机得电运转。若开关断开,栅极电压下降为0V,MOs场效应晶体管截止,电动机断电停转,小功率场效应晶体管的工作状态与等效电路.

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