微型电路保护器件大幅度降低对电路板空间的需求
发布时间:2023/2/12 12:26:02 访问次数:108
ESD保护二极管产品系列，新产品的尺寸比上一代缩小67%，能够承受最严格的IEC61000-4-2标准的 ESD测试脉冲，低钳位电压特性有助于提高对调制解调器等低压芯片的保护性能。
ESDALCxx-1U2系列产品采用节省空间的ST0201封装，占板面积为0.18mm2。在手机、GPS接收器和MP3播放器等便携产品中，电路板需要提供空间安装必要的保护器件，ESDALCxx-1U2系列微型电路保护器件大幅度降低对电路板空间的需求。
由于0.3x0.6 mm的尺寸匹配工业标准的0201微型贴装无源器件外廓，电路板设计人员可以从现有的CAD组件库中快速选择最佳的焊盘布局。
新型20V和30V的p沟道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP。器件采用SO-8封装，具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
现有的同类SO-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24毫欧，而Vishay的Si7633DP具有3.3m毫欧（10V下）及5.5毫欧（4.5V下）的超低导通电阻。这些值比最接近的同类30V器件低27%（10V下）和28% （4.5V下），比最接近的同类25V SO-8器件分别低 28%和15%。30V Si7135DP的导通电阻为3.9毫欧（10V下）和6.2毫欧（4.5V下），比最接近的同类器件分别低13%和19.5% 。
两款MOSFET均采用PowerPAK SO-8封装，可容许比其他SO-8封装器件高60%的最大漏电流和高75%的最大功率损耗。
用户定义的电流限制级别可防止输入电源电压受到可能导致系统故障的过高负载电流的影响。为标记电流故障，如果该器件在电流限制条件下运行，CL针脚便会降低。
在关断模式下，SiP4613A/B可将电源电流降至1μA以下。除电流限制外，SiP4613A/B还具有欠压锁定和热关断保护功能。通过在芯片结温达到+165℃时关闭电源开关，并在此温度降至+145℃以下前一直使电源开关保持关闭状态，过温保护电路可防止热失控故障。
深圳市金思得科技有限公司 http://jinside.51dzw.com/
ESD保护二极管产品系列，新产品的尺寸比上一代缩小67%，能够承受最严格的IEC61000-4-2标准的 ESD测试脉冲，低钳位电压特性有助于提高对调制解调器等低压芯片的保护性能。
ESDALCxx-1U2系列产品采用节省空间的ST0201封装，占板面积为0.18mm2。在手机、GPS接收器和MP3播放器等便携产品中，电路板需要提供空间安装必要的保护器件，ESDALCxx-1U2系列微型电路保护器件大幅度降低对电路板空间的需求。
由于0.3x0.6 mm的尺寸匹配工业标准的0201微型贴装无源器件外廓，电路板设计人员可以从现有的CAD组件库中快速选择最佳的焊盘布局。
新型20V和30V的p沟道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP。器件采用SO-8封装，具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。
现有的同类SO-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24毫欧，而Vishay的Si7633DP具有3.3m毫欧（10V下）及5.5毫欧（4.5V下）的超低导通电阻。这些值比最接近的同类30V器件低27%（10V下）和28% （4.5V下），比最接近的同类25V SO-8器件分别低 28%和15%。30V Si7135DP的导通电阻为3.9毫欧（10V下）和6.2毫欧（4.5V下），比最接近的同类器件分别低13%和19.5% 。
两款MOSFET均采用PowerPAK SO-8封装，可容许比其他SO-8封装器件高60%的最大漏电流和高75%的最大功率损耗。
用户定义的电流限制级别可防止输入电源电压受到可能导致系统故障的过高负载电流的影响。为标记电流故障，如果该器件在电流限制条件下运行，CL针脚便会降低。
在关断模式下，SiP4613A/B可将电源电流降至1μA以下。除电流限制外，SiP4613A/B还具有欠压锁定和热关断保护功能。通过在芯片结温达到+165℃时关闭电源开关，并在此温度降至+145℃以下前一直使电源开关保持关闭状态，过温保护电路可防止热失控故障。
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