绕组线激光焊接到金属化端子上实现高耐热震性及高可靠性
发布时间:2023/2/7 18:19:57 访问次数:77
在高功率时，零电压开关非互补有源钳位能效高于传统准谐振反激式变换拓扑。
集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管。GaN技术的开关频率比传统硅 MOSFET更高，使适配器能够提供更高的功率密度和符合最新生态设计规范的高能效。
用ST-ONEMP和MASTERGAN4开发了EVLONEMP 65W+10W AC/DC适配器参考设计，适配器的重量和体积与20W单端口智能手机充电器相当。峰值能效为94%，比同类传统双口适配器高2%，而PCB面积仅为传统适配器的四分之一。因此，原始设备制造商可以缩减外壳尺寸，节省能源，减少塑料使用，提供更环保的产品。
该产品是业内首款用于汽车以太网10BASE-T1S的共模滤波器，采用TDK专有的绕线结构和最佳材料，达到了业内最高S参数(散射参数)，最大线间电容为10 pF，运行温度范围为-40至+125℃。通过将绕组线激光焊接到金属化端子上，从而实现高耐热震性以及高可靠性。
越来越多的客户现在正在考虑将目前常用的支持多点连接的CAN、CAN FD和Flex-Ray标准转换到以太网系统来实现各标准的统一性。新产品将证明其特性满足这些需求，能够提高通信质量，抑制噪音。
一种VGA 1/3英寸单色CMOS成像器。内部12位图像校正、曝光控制和后处理确保了数据完整性。该技术可在-40℃至85℃的温度范围内提供高品质的图像，这一特点是其他汽车技术所无法比拟的。
该灵活性意味着系统制造商能够采用一种技术来满足众多安全和舒适应用的需要，从而增加了单位产量，降低了成本，同时改进了供应链管理和产品面市时间。
http://yushuokj.51dzw.com/深圳市裕硕科技有限公司
在高功率时，零电压开关非互补有源钳位能效高于传统准谐振反激式变换拓扑。
集成栅极驱动器的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管。GaN技术的开关频率比传统硅 MOSFET更高，使适配器能够提供更高的功率密度和符合最新生态设计规范的高能效。
用ST-ONEMP和MASTERGAN4开发了EVLONEMP 65W+10W AC/DC适配器参考设计，适配器的重量和体积与20W单端口智能手机充电器相当。峰值能效为94%，比同类传统双口适配器高2%，而PCB面积仅为传统适配器的四分之一。因此，原始设备制造商可以缩减外壳尺寸，节省能源，减少塑料使用，提供更环保的产品。
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越来越多的客户现在正在考虑将目前常用的支持多点连接的CAN、CAN FD和Flex-Ray标准转换到以太网系统来实现各标准的统一性。新产品将证明其特性满足这些需求，能够提高通信质量，抑制噪音。
一种VGA 1/3英寸单色CMOS成像器。内部12位图像校正、曝光控制和后处理确保了数据完整性。该技术可在-40℃至85℃的温度范围内提供高品质的图像，这一特点是其他汽车技术所无法比拟的。
该灵活性意味着系统制造商能够采用一种技术来满足众多安全和舒适应用的需要，从而增加了单位产量，降低了成本，同时改进了供应链管理和产品面市时间。
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