串行EEPROM放大器的优越性能和可选择的电流电源输出
发布时间:2023/2/3 23:22:09 访问次数:80
串行EEPROM ，旨在为设计人员提供运行速度快、写入时间短的低电流器件，使用户能更快、更有效地获得大量数据。
新器件采用MSOP等小型超薄封装，适用于对板面积要求苛刻的各类应用。此外，新器件也有采用TSSOP、PDIP和SOIC等的标准封装。
25XX080A/B和25XX160A/B 串行EEPROM备有两种电压范围，其中“AA”型（如25AA080B）为1.8-5.5伏，“LC”型（如 25LC080B ）为2.5-5.5伏。其温度范围也有两种：工业温度范围 (即-40°C到+85°C) 及扩展温度范围 (即-40°C 到+125°C) 。
NBLVEP16VR在模块设计上具无可比拟的灵活性，既接收低电压正射极耦合逻辑（LVPECL）也接收负射极耦合逻辑，工作电压有2.5伏（V）、3.3V和5V。
NBLVEP16VR在任何主要的VCXO、TCXO和SAW应用中，作为缓冲器和放大器优于其他产品。这放大器的优越性能和可选择的电流电源输出，是市场上高性能振荡器应用中最好的接收器/驱动器。
新型的P信道器件可向从事节省占位面积应用研发的设计人员提供超小型和业界标准封装高性能功率控制能力。型号为PMN50XP的首个P通道MOSFET器件具有20伏电压和50毫欧姆电阻，并采用2.9毫米X 1.5毫米TSOP6封装，以小型封装向设计人员提供成本经济型电源管理的最佳方案。
特殊应用包括在高速电信、网络和自动测试设备中用于压控晶体振荡器（VCXO）、温度补偿晶体振荡器（TCXO）和表面声波（SAW）等模块的缓冲器/ 放大器。NBLVEP16VR在定时模块中作为有源器件，具三个基本性能。首先该器件能放大差动反馈环路，可选择4毫安（mA）或8mA自偏置电流电源。
串行EEPROM ，旨在为设计人员提供运行速度快、写入时间短的低电流器件，使用户能更快、更有效地获得大量数据。
新器件采用MSOP等小型超薄封装，适用于对板面积要求苛刻的各类应用。此外，新器件也有采用TSSOP、PDIP和SOIC等的标准封装。
25XX080A/B和25XX160A/B 串行EEPROM备有两种电压范围，其中“AA”型（如25AA080B）为1.8-5.5伏，“LC”型（如 25LC080B ）为2.5-5.5伏。其温度范围也有两种：工业温度范围 (即-40°C到+85°C) 及扩展温度范围 (即-40°C 到+125°C) 。
NBLVEP16VR在模块设计上具无可比拟的灵活性，既接收低电压正射极耦合逻辑（LVPECL）也接收负射极耦合逻辑，工作电压有2.5伏（V）、3.3V和5V。
NBLVEP16VR在任何主要的VCXO、TCXO和SAW应用中，作为缓冲器和放大器优于其他产品。这放大器的优越性能和可选择的电流电源输出，是市场上高性能振荡器应用中最好的接收器/驱动器。
新型的P信道器件可向从事节省占位面积应用研发的设计人员提供超小型和业界标准封装高性能功率控制能力。型号为PMN50XP的首个P通道MOSFET器件具有20伏电压和50毫欧姆电阻，并采用2.9毫米X 1.5毫米TSOP6封装，以小型封装向设计人员提供成本经济型电源管理的最佳方案。
特殊应用包括在高速电信、网络和自动测试设备中用于压控晶体振荡器（VCXO）、温度补偿晶体振荡器（TCXO）和表面声波（SAW）等模块的缓冲器/ 放大器。NBLVEP16VR在定时模块中作为有源器件，具三个基本性能。首先该器件能放大差动反馈环路，可选择4毫安（mA）或8mA自偏置电流电源。
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