小型封装的前提下抑制了发热量并实现了低导通电阻*5
发布时间:2023/1/25 22:17:09 访问次数:77
一种高性能RISC-V架构，每个CPU模块中有16个RISC-V内核，频率3.6GHz，整合48MB缓存，整个处理器可以集成12个CPU模块，做到192核，台积电5nm工艺生产制造，还有自己开发的高性能IO核心，延迟低至7ns，接近原生核心性能。
Veyron V1是RISC-V领域的一次重要突破，证明可以在高性能计算市场大有作为。
与此同时，RISC-V也是国内芯片公司重点发展的架构，在高性能计算中也亟待突破，来自中科院计算所的@包云岗老师也透露了国产RISC=V在这方面的进展。
GSENSE1081BSI具有91.7ke-满阱容量以及小于5e-的读出噪声，单幅动态范围可达85dB。
片上16bit ADC可大幅度提高对原始信号的采样精度，使画面中保留更加丰富的亮度信息，有效提升天文观测数据的精准度和科学研究价值。
根据天文观测中长曝光和深度制冷的应用需求，GSENSE1081BSI针对暗电流指标进行了优化，在-70℃摄氏度下，暗电流仅为0.0026 e-/s/pixel。
芯片采用了anti-glowing技术，在极端的温度条件下，超长曝光时间，也可有效消除辉光现象。
IPD内部的功率MOSFET部分在关断时会因反电动势*3而发热，新产品采用ROHM自有的电路和器件技术“TDACC™”*4，通过优化控制流过电流的通道数量，在保持小型封装的前提下抑制了发热量并实现了低导通电阻*5，这些特性在小型IPD中是很难同时兼顾的。Wi-Fi 7支持320/240MHz信道，加上4K QAM调制机制，可以带来更快的连接，同时在多连接、自适应连接方面也有创新突破，相比上代Wi-Fi 6/6E家庭平台，无线容量提升了约1.7倍，每瓦吞吐量即能效提升了22％。
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
一种高性能RISC-V架构，每个CPU模块中有16个RISC-V内核，频率3.6GHz，整合48MB缓存，整个处理器可以集成12个CPU模块，做到192核，台积电5nm工艺生产制造，还有自己开发的高性能IO核心，延迟低至7ns，接近原生核心性能。
Veyron V1是RISC-V领域的一次重要突破，证明可以在高性能计算市场大有作为。
与此同时，RISC-V也是国内芯片公司重点发展的架构，在高性能计算中也亟待突破，来自中科院计算所的@包云岗老师也透露了国产RISC=V在这方面的进展。
GSENSE1081BSI具有91.7ke-满阱容量以及小于5e-的读出噪声，单幅动态范围可达85dB。
片上16bit ADC可大幅度提高对原始信号的采样精度，使画面中保留更加丰富的亮度信息，有效提升天文观测数据的精准度和科学研究价值。
根据天文观测中长曝光和深度制冷的应用需求，GSENSE1081BSI针对暗电流指标进行了优化，在-70℃摄氏度下，暗电流仅为0.0026 e-/s/pixel。
芯片采用了anti-glowing技术，在极端的温度条件下，超长曝光时间，也可有效消除辉光现象。
IPD内部的功率MOSFET部分在关断时会因反电动势*3而发热，新产品采用ROHM自有的电路和器件技术“TDACC™”*4，通过优化控制流过电流的通道数量，在保持小型封装的前提下抑制了发热量并实现了低导通电阻*5，这些特性在小型IPD中是很难同时兼顾的。Wi-Fi 7支持320/240MHz信道，加上4K QAM调制机制，可以带来更快的连接，同时在多连接、自适应连接方面也有创新突破，相比上代Wi-Fi 6/6E家庭平台，无线容量提升了约1.7倍，每瓦吞吐量即能效提升了22％。
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