低触发电压有助于降低IEC61000-4-5 8/20µs浪涌脉冲所含的能量
发布时间:2023/1/25 21:16:23 访问次数:85
针对市场对提升可靠性的需求，ROHM早在2014年就开始构建IPD专用工艺。此次通过进一步提高专用工艺的电流承载能力，并结合ROHM的模拟设计技术优势，打造了更广泛的产品阵容。
IPD不仅可以进行电子电路的ON/OFF控制，还内置有保护功能，可保护电路免受电气故障（异常时的过电流）的影响，有助于构建安全且可靠性高的系统。
新产品配置在电机和照明等被控设备的下侧（接地侧）电路中，从电路结构方面看，具有可轻松替代机械继电器和MOSFET、易于设计的优点。
双数据线PESD4V0X2UM采用紧凑型DFN1006-3封装，触发电压为8V，典型器件鲁棒性超过14A 8/20µs，典型器件电容为0.82pF。
高经济效益开关稳压器系列 - RPMGQ-20和RPMGS-20。两款都是开放式的通孔非隔离DC/DC降压转换器，输入为18V-75V。可选标称输出为5V或12V，分别可在3.3V至8V和8V至24V的宽范围内调节。
Nexperia开发了TrEOS产品组合，专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt™、HDMI 2.1和通用闪存等应用的高性能ESD保护解决方案。
PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速开关速度可为高速数据线提供极为有效的ESD峰值抑制性能，而其低触发电压有助于显著降低IEC61000-4-5 8/20µs浪涌脉冲所含的能量。
单数据线PESD4V0Y1BBSF采用低电感DSN0603-2封装，触发电压为6.3V TLP，典型器件鲁棒性和电容分别为25A 8/20µs和0.7pF。PESD4V0Y1BBSF提供的钳位电压在16A 100ns TLP时仅为2.4V，在20A 8/20µs浪涌时仅为3.4V。
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
针对市场对提升可靠性的需求，ROHM早在2014年就开始构建IPD专用工艺。此次通过进一步提高专用工艺的电流承载能力，并结合ROHM的模拟设计技术优势，打造了更广泛的产品阵容。
IPD不仅可以进行电子电路的ON/OFF控制，还内置有保护功能，可保护电路免受电气故障（异常时的过电流）的影响，有助于构建安全且可靠性高的系统。
新产品配置在电机和照明等被控设备的下侧（接地侧）电路中，从电路结构方面看，具有可轻松替代机械继电器和MOSFET、易于设计的优点。
双数据线PESD4V0X2UM采用紧凑型DFN1006-3封装，触发电压为8V，典型器件鲁棒性超过14A 8/20µs，典型器件电容为0.82pF。
高经济效益开关稳压器系列 - RPMGQ-20和RPMGS-20。两款都是开放式的通孔非隔离DC/DC降压转换器，输入为18V-75V。可选标称输出为5V或12V，分别可在3.3V至8V和8V至24V的宽范围内调节。
Nexperia开发了TrEOS产品组合，专门用于为我们的客户提供一系列适用于USB3.2、USB4™、Thunderbolt™、HDMI 2.1和通用闪存等应用的高性能ESD保护解决方案。
PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM的快速开关速度可为高速数据线提供极为有效的ESD峰值抑制性能，而其低触发电压有助于显著降低IEC61000-4-5 8/20µs浪涌脉冲所含的能量。
单数据线PESD4V0Y1BBSF采用低电感DSN0603-2封装，触发电压为6.3V TLP，典型器件鲁棒性和电容分别为25A 8/20µs和0.7pF。PESD4V0Y1BBSF提供的钳位电压在16A 100ns TLP时仅为2.4V，在20A 8/20µs浪涌时仅为3.4V。
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