第4代SiC MOSFET改善短路耐受时间实现业界超低的导通电阻
发布时间:2023/1/24 21:24:04 访问次数:123
在SiC功率元器件技术开发方面，始终保持着业界先进地位。其中，新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受时间，并实现了业界超低的导通电阻。在车载逆变器中采用该产品时，与使用IGBT时相比，电耗可以减少6%（按国际标准“WLTC燃料消耗量测试”计算），非常有助于延长电动汽车的续航里程。
为日益普及的EV提供了大量的产品，在该领域拥有骄人的市场业绩。
此次，为了进一步提高逆变器的性能，日立安斯泰莫首次在主驱逆变器的电路中采用了SiC功率器件，并计划从2025年起，依次向包括日本汽车制造商在内的全球汽车制造商供应相应的逆变器产品。
精密中等带宽的主要特性：
优化信号链分辨率和增益，无论振幅大小，都能在传感器带宽的最宽范围内，提供所需的16位至24位精度
可灵活调整噪声性能、信号带宽和功率的优先级，通过简单的软件更新即可复用电路的优选布局和多个用例
更高通道密度选项，能够将精度测量扩展到分布式或集中式多通道数场景
作为高准确度6轴MEMS IMU，LSM6DSV16X内置一个3轴低噪声加速度计和一个3轴陀螺仪，测量准确度优异，采用工业标准尺寸，集成新的I3C接口。两种结构在回流焊后保持高稳定性，避免了设备厂商在生产线上重新校准IMU ，并保证传感器性能。
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在SiC功率元器件技术开发方面，始终保持着业界先进地位。其中，新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受时间，并实现了业界超低的导通电阻。在车载逆变器中采用该产品时，与使用IGBT时相比，电耗可以减少6%（按国际标准“WLTC燃料消耗量测试”计算），非常有助于延长电动汽车的续航里程。
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此次，为了进一步提高逆变器的性能，日立安斯泰莫首次在主驱逆变器的电路中采用了SiC功率器件，并计划从2025年起，依次向包括日本汽车制造商在内的全球汽车制造商供应相应的逆变器产品。
精密中等带宽的主要特性：
优化信号链分辨率和增益，无论振幅大小，都能在传感器带宽的最宽范围内，提供所需的16位至24位精度
可灵活调整噪声性能、信号带宽和功率的优先级，通过简单的软件更新即可复用电路的优选布局和多个用例
更高通道密度选项，能够将精度测量扩展到分布式或集中式多通道数场景
作为高准确度6轴MEMS IMU，LSM6DSV16X内置一个3轴低噪声加速度计和一个3轴陀螺仪，测量准确度优异，采用工业标准尺寸，集成新的I3C接口。两种结构在回流焊后保持高稳定性，避免了设备厂商在生产线上重新校准IMU ，并保证传感器性能。
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