175°C时为100µA--优于在25°C时额定值通常为100µA竞争器件
发布时间:2023/1/23 20:25:08 访问次数:120
新款MCU SS26L1X，这是一款面向多节电池移动设备控制管理的MCU。
昇生微的RISC-V一共规划两个系列，一个是全自研的低功耗/高能耗比系列AndRISC-V0内核，另外一个则是合作开发的高算力特色指令系统AndRISC-V4。
如今在Arm一统天下的局面下，客户对于RISC-V的迁移会存在顾虑，但是昇生微经过了反复权衡，认为RISC-V是在生态普适性和国产自主可控之间非常好的平衡。考虑到昇生微在消费电子产品落地、客户群以及技术支持等市场方面，以及CPU和操作系统软硬件的开发团队方面都有一定的积累，因此公司才坚持拥抱RISC-V。
在这个用例中，惯性传感器检测车辆的运动，并可以使用“AR.markers”调整AR-HUD光束的位置，以便驾驶员以最佳方式观看。
另一个与舒适性相关的应用是主动悬架系统，其通过惯性传感器采集车辆姿态信息，经过主动悬架控制器计算，向四轮减震器输出软硬不同的阻尼控制，最后通过控制四个减震器内部的电磁阀来动态调整悬架软硬。
在1200V、40A的测试条件下，1700V EliteSiC MOSFET的栅极电荷（Qg）达到领先市场的200nC，而同类竞争器件的Qg近300nC。
低Qg对于在快速开关、高功率可再生能源应用中实现高能效至关重要。
在1700V的额定击穿电压（BV）下，EliteSiC肖特基二极管器件在最大反向电压（VRRM）和二极管的峰值重复反向电压之间提供了更好的余量。
新器件还具有出色的反向漏电流性能，其最大反向电流（IR）在25°C时仅为40µA，在175°C时为100µA--明显优于在25°C时额定值通常为100µA的竞争器件。
通过这两大系列，把RISC-V“向上向下”的可拓展性优势利用好。
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
新款MCU SS26L1X，这是一款面向多节电池移动设备控制管理的MCU。
昇生微的RISC-V一共规划两个系列，一个是全自研的低功耗/高能耗比系列AndRISC-V0内核，另外一个则是合作开发的高算力特色指令系统AndRISC-V4。
如今在Arm一统天下的局面下，客户对于RISC-V的迁移会存在顾虑，但是昇生微经过了反复权衡，认为RISC-V是在生态普适性和国产自主可控之间非常好的平衡。考虑到昇生微在消费电子产品落地、客户群以及技术支持等市场方面，以及CPU和操作系统软硬件的开发团队方面都有一定的积累，因此公司才坚持拥抱RISC-V。
在这个用例中，惯性传感器检测车辆的运动，并可以使用“AR.markers”调整AR-HUD光束的位置，以便驾驶员以最佳方式观看。
另一个与舒适性相关的应用是主动悬架系统，其通过惯性传感器采集车辆姿态信息，经过主动悬架控制器计算，向四轮减震器输出软硬不同的阻尼控制，最后通过控制四个减震器内部的电磁阀来动态调整悬架软硬。
在1200V、40A的测试条件下，1700V EliteSiC MOSFET的栅极电荷（Qg）达到领先市场的200nC，而同类竞争器件的Qg近300nC。
低Qg对于在快速开关、高功率可再生能源应用中实现高能效至关重要。
在1700V的额定击穿电压（BV）下，EliteSiC肖特基二极管器件在最大反向电压（VRRM）和二极管的峰值重复反向电压之间提供了更好的余量。
新器件还具有出色的反向漏电流性能，其最大反向电流（IR）在25°C时仅为40µA，在175°C时为100µA--明显优于在25°C时额定值通常为100µA的竞争器件。
通过这两大系列，把RISC-V“向上向下”的可拓展性优势利用好。
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