边缘智能的“边缘”逐渐已经成为人体感官的延伸，比如各种温度传感器、加速度传感器、声学传感器等等，这些传感器联系了我们所处的真实的物理世界和看不见摸不着的数字世界，构成一组组边缘节点。

得益于AI强大的计算能力，AI技术在工业、医疗、消费类等诸多领域得到了广泛应用。

比如，工业摄像头可以通过AI技术识别分类不同等级的产品；将AI技术用在时间序列分析上，可以对多个人体生命体征信号诸如心电、PPG、生物电阻抗等进行分析监测并提出初步的诊疗指导意见；具备AI功能的消费类产品可以根据使用者的指示或者自身的机器视觉开展工作，比如我们可以通过语音操控扫地机器人，而扫地机器人则可以借助AI来规划自身的行进路线。

然而，这种材料有一个很明显的缺点，因为硅含有比石墨更多的锂离子，所以它的体积更大。因此，即便能够成功使用硅作为电极材料，其使用率也非常有限。所以 LG 新能源开发并计划测试纯硅原型被业界认为是该公司实现了重大技术突破。

LG 新能源成功将硅的尺寸减小到目前能够实现的最小尺寸 ——5微米。据评估，它不仅有助于提高性能，而且还有助于缩小电池体积。当它最终成功商业化时可大幅提高电动汽车续航和充电性能，并拥有一定的价格竞争力，毕竟单位容量的硅比石墨更便宜。

当两个与非门的输出全为1时,输出为1;只要其中一个为0时,输出为0。所以该电路的输出端可以实现线与功能L=AB・CD。

上拉电阻对0D门动态性能的影响,由于驱动门的输出电容、负载门的输入电容以及接线电容的存在,上拉电阻尺p的大小必将影响0D门的开关速度,RP的值愈小,负载电容的充电时间常数亦愈小,因而开关速度愈快。但上拉电阻不能任意地减小,它必须保证输出电流不能超过允许的最大值f。L(m ax)。

对于HC和HCT系列CMOs门电路,f。L(max)为4 mA,因此Rp必须大于%D/J。L(m ax)=5Ⅴ〃mA=⒈25 kΩ。与普通CMOs电路相比,Rp的值比PMOS管导通时的电阻(小于200Ω)大得多,因而,0D门从低电平到高电平的转换速度比普通CMOS门慢得多。

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