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输出功率几mW开关稳压器本身供电电流是严重不成比例

发布时间:2023/1/15 21:55:30 访问次数:131

在选择了正确的开关频率之后,电路设计人员在评估实际电路时,往往会得出令人惊讶的结果。在选定的开关频率下,所设计的电路常常不能按预期开关。通常有以下两方面原因。

许多应用需要非常高的转换效率,即使在低输出负载下也是如此。如果所需的输出功率只有几mW,开关稳压器本身的供电电流是严重不成比例的。如果以百分比表示效率,这一点尤其明显。为了提高这些情况下的效率,开关稳压器IC通常会配置特殊的突发模式。

开关稳压器的电压随时间的变化。在切换到较长的暂停阶段之前,开关节点会开关一次。在这个暂停阶段,开关稳压器IC的许多功能进入睡眠模式,只需消耗极少量的电能。显示了开关节点电压、电感电流和输出电压。

随着28nm成本的下降,28nm制程将被应用在越来越多的低成本解决方案中。目前OLED DDI采用40nm工艺生产,联咏科技已经准备尝试更昂贵的28nm工艺,以确保有足够的代工产能来生产OLED DDI,而随着一家IC设计公司开始尝试,其他IC设计公司也有很大可能会效仿。

28nm eFlash技术的Autrix TC4x系列微控制器样品已经交付给主要客户。其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器,特别是电阻式随机存取存储器(RRAM),而非eFlash,这一产品也将使用台积电的28nm技术。扩展28nm跨领域汽车控制微控制器产品线。随着汽车市场对MCU需求的增长,28nm在车用领域的应用也有望增加。

Bump高度的指标非常关键,Bump中的空洞也至关重要。在SAW filter上面的结果显示,贺利氏的6号粉和7号粉具有良好的表现

晶圆级封装最终会以芯片级应用到系统封装,即以倒装芯片的工艺集成到模组里。在此过程中会经历多次回流焊工艺,那么回流焊之后bump内部的空洞会发生怎样的变化?对此,我们测试了3次回流焊之后bump内部空洞的变化

贺利氏的6号和7号粉锡膏对应的Bump,在经过3次回流焊之后仍然能够保持在比较好的水平。

晶圆级封装的关键技术点。贺利氏Welco焊粉和独有的助焊剂配方体系能够匹配SAW、BAW 等滤波器的晶圆封装需求。更深层次的技术细节,如Bump高度的设计和球高与锡膏量的关系,敬请期待下一篇文章。不论是晶圆级封装还是先进封装贺利氏都能提供成熟的解决方案。

上海德懿电子科技有限公司  www.deyie.com



在选择了正确的开关频率之后,电路设计人员在评估实际电路时,往往会得出令人惊讶的结果。在选定的开关频率下,所设计的电路常常不能按预期开关。通常有以下两方面原因。

许多应用需要非常高的转换效率,即使在低输出负载下也是如此。如果所需的输出功率只有几mW,开关稳压器本身的供电电流是严重不成比例的。如果以百分比表示效率,这一点尤其明显。为了提高这些情况下的效率,开关稳压器IC通常会配置特殊的突发模式。

开关稳压器的电压随时间的变化。在切换到较长的暂停阶段之前,开关节点会开关一次。在这个暂停阶段,开关稳压器IC的许多功能进入睡眠模式,只需消耗极少量的电能。显示了开关节点电压、电感电流和输出电压。

随着28nm成本的下降,28nm制程将被应用在越来越多的低成本解决方案中。目前OLED DDI采用40nm工艺生产,联咏科技已经准备尝试更昂贵的28nm工艺,以确保有足够的代工产能来生产OLED DDI,而随着一家IC设计公司开始尝试,其他IC设计公司也有很大可能会效仿。

28nm eFlash技术的Autrix TC4x系列微控制器样品已经交付给主要客户。其下一代Aurix微控制器将使用嵌入式非易失性存储器,特别是电阻式随机存取存储器(RRAM),而非eFlash,这一产品也将使用台积电的28nm技术。扩展28nm跨领域汽车控制微控制器产品线。随着汽车市场对MCU需求的增长,28nm在车用领域的应用也有望增加。

Bump高度的指标非常关键,Bump中的空洞也至关重要。在SAW filter上面的结果显示,贺利氏的6号粉和7号粉具有良好的表现

晶圆级封装最终会以芯片级应用到系统封装,即以倒装芯片的工艺集成到模组里。在此过程中会经历多次回流焊工艺,那么回流焊之后bump内部的空洞会发生怎样的变化?对此,我们测试了3次回流焊之后bump内部空洞的变化

贺利氏的6号和7号粉锡膏对应的Bump,在经过3次回流焊之后仍然能够保持在比较好的水平。

晶圆级封装的关键技术点。贺利氏Welco焊粉和独有的助焊剂配方体系能够匹配SAW、BAW 等滤波器的晶圆封装需求。更深层次的技术细节,如Bump高度的设计和球高与锡膏量的关系,敬请期待下一篇文章。不论是晶圆级封装还是先进封装贺利氏都能提供成熟的解决方案。

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