片上保密功能如片中关键逻辑电路盾牌保护提供高度保密功能
发布时间:2022/12/22 18:32:00 访问次数:77
Si4364DY的5.5 m欧姆低导通电阻和栅极电荷62nC，可使它用在200到300kHz的频率范围，其栅极驱动采用5V.对采用5V栅驱动更高频率500kHz到1MHz以及采用5V栅驱动的任何频率，Si4858DY有更低的栅极电荷30.5nC和在4.5V栅驱动时导通电阻7m欧姆.
Siliconix的Si4860DY是为低端和高端工作而设计的.在4.5V栅驱动时导通电阻11m欧姆，使得该器件在低端工作时导通损耗低.作为高端MOSFET，Si4860DY降低了开关损耗，导致更高效率的控制.该器件的开态延迟时间为18ns,低栅极电荷典型值为12nC，这就是说，比能处理10到25A输出电流的同类产品低27%.
因此当用在高端和低端时，Si4860DY的导通电阻和栅极电荷的乘积要比同类产出产品低大约22%.
其它应用还包括移动信息终端如PDA和手机中安全保密和计费功能，以及工作站和PC中的防盗功能。
AE45X-B器件，最初提供AE45X系列，有16位CPU内核，它特别适用于智能卡。他们能为加密系统加装一个协处理器，提供高度保密功能。
这种协处理器能对公共密钥结构(PKI)进行指数乘法/除法运算。
对于金融卡和其它需要高度安全的应用，微控制器通过几个片上保密功能如片中关键逻辑电路盾牌保护，检测和其它机制等来强有力地保护数据。AE45X-B外部接触型接口符合ISO/IEC 7816标准，它能调整卡的物理特性，引脚的大小和位置，信号协议和指令。
在内核电压DC/DC转换器中单相或多相电源电路，同步低端和控制高端功率MOSFET提供了低的栅源和栅漏充电比，这就能使用低成本MOSFET而不会牺牲可靠性.Si4364DY和Si4858DY是优化而用在低端同步整流，最大限度地降低导通损耗，增加效率，通态电阻在4.5V栅驱动时比一般器件要低12%左右.
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
Si4364DY的5.5 m欧姆低导通电阻和栅极电荷62nC，可使它用在200到300kHz的频率范围，其栅极驱动采用5V.对采用5V栅驱动更高频率500kHz到1MHz以及采用5V栅驱动的任何频率，Si4858DY有更低的栅极电荷30.5nC和在4.5V栅驱动时导通电阻7m欧姆.
Siliconix的Si4860DY是为低端和高端工作而设计的.在4.5V栅驱动时导通电阻11m欧姆，使得该器件在低端工作时导通损耗低.作为高端MOSFET，Si4860DY降低了开关损耗，导致更高效率的控制.该器件的开态延迟时间为18ns,低栅极电荷典型值为12nC，这就是说，比能处理10到25A输出电流的同类产品低27%.
因此当用在高端和低端时，Si4860DY的导通电阻和栅极电荷的乘积要比同类产出产品低大约22%.
其它应用还包括移动信息终端如PDA和手机中安全保密和计费功能，以及工作站和PC中的防盗功能。
AE45X-B器件，最初提供AE45X系列，有16位CPU内核，它特别适用于智能卡。他们能为加密系统加装一个协处理器，提供高度保密功能。
这种协处理器能对公共密钥结构(PKI)进行指数乘法/除法运算。
对于金融卡和其它需要高度安全的应用，微控制器通过几个片上保密功能如片中关键逻辑电路盾牌保护，检测和其它机制等来强有力地保护数据。AE45X-B外部接触型接口符合ISO/IEC 7816标准，它能调整卡的物理特性，引脚的大小和位置，信号协议和指令。
在内核电压DC/DC转换器中单相或多相电源电路，同步低端和控制高端功率MOSFET提供了低的栅源和栅漏充电比，这就能使用低成本MOSFET而不会牺牲可靠性.Si4364DY和Si4858DY是优化而用在低端同步整流，最大限度地降低导通损耗，增加效率，通态电阻在4.5V栅驱动时比一般器件要低12%左右.
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