在风电、光伏、新能源汽车、工业变频等大功率应用场合，主电路中母线电容到功率器件间存在较大杂散电感 (几十到几百nH)。

功率器件在关断时，由于杂散电感Ls的存在，通过Ls*di/dt感应产生浪涌电压，此感应高电压与前端母线电容电压方向一致，因此功率器件两端叠加的电压尖峰会超过母线电压，在过流或短路发生时甚至可能会超过功率器件的耐受电压而导致损坏。

功率器件保护方式有RC吸收回路、软开关以及饱和压降检测限流等，其中RC吸收回路具有以牺牲回路效率为代价，同时可能带来吸收回路温度过高的风险。

当参考电压稳定到1V时，那么误差放大器的输入端之间有0.02V的电压差。放大器将该电压放大，所以误差放大器的输出电压VAMP下降，这意味着PMOS传递元件的VGS增加，PMOS传递元件开始导通更多的通道，给输出电容充电。所以，LDO的输出电压开始回升到1V。

过冲电压为0.02V，那么输出电压是1.02V，误差放大器的输入端之间有一个-0.02V的电压差。误差放大器再次放大这个电压，误差放大器的输出电压VAMP增加，而PMOS传递元件的电压VGS减少，这意味着PMOS传递元件开始关闭其通道。

但正因为如此，一个传递元件可以给输出电容充电，以防输出电容放电时，过冲输出电压恢复到1V。

电子产品中有许多噪声源，可能出现在系统内部和外部。

噪声耦合抑制技术在电路设计层面和物理布线中实施，以抑制特定的噪声源。

可以通过布线前和布线后仿真来评估噪声耦合抑制技术的有效性。

将噪声耦合抑制技术与噪声源相匹配

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