模块关断时的供电电流都很小（10μA），可以延长便携式设备的电池使用寿命。

基准电压（VREF）容差（0.5V±1.0%）和低纹波，它们能够提供精确的输出功率，从而有助于提高系统的稳定性和可靠性。

带陶瓷电容且无需外部补偿的增强稳定性COT（恒定导通时间）引擎，以及强制连续导通模式（FCCM）选项。此外，这些模块还具有热补偿内部过流保护（OCP）功能，可以通过降低开关频率，以及利用二极管仿真模式（DEM），来提高轻载效率。

在超轻负载条件下，它们可以进入低静态电流模式，这使其成为了减小待机功耗的理想选择。不仅如此，它们还具有内部软启动、启用输入、预偏压启动、热关断、电源正常输出、过压保护（OVP）和欠压锁定（UVLO）等其他功能。

这个解决方案具有高功率密度、纤薄和开关频率为2MHz，是车用控制台应用和需要小型、纤薄方案的计算、工业、消费和电信电源系统的理想选择。eGaN®FET具备快速开关、高效率和小尺寸等优势，可以满足这些前沿应用对高功率密度的严格要求。

100V、具有低Iq、双路、两相的同步降压控制器（LTC7890）经过全面优化，可驱动eGaN FET，并且集成了一个半桥驱动器和智能自举二极管。经过优化的死区时间或可编程死区时间接近零，开关频率最高可达3MHz。5uA的静态电流（VIN=48 V、VOUT=5V、仅CH1）可实现非常低的待机功耗和卓越的轻负载效率。

氮化镓场效应晶体管具备超低开关损耗的优势，使其能够在2MHz以上的频率工作，配以新型模拟控制器，客户可实现2MHz工作频率以上的整个生态系统。

将其先进控制器的优势与EPC氮化镓器件的卓越性能结合起来，为客户提供具有最高功率密度和采用少量元件的解决方案，可提高效率、增加功率密度和降低系统成本。

LTC7890设计可发挥EPC eGaN FET的优势，用于高功率密度解决方案。LTC7890实现更高的开关频率和经过优化的死区时间，与市场上现有的解决方案相比，性能更卓越且功耗更低。通过这些新型控制器，客户可以发挥氮化镓器件的极速开关优势，实现最高的功率密度。

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