爬电距离设计更长但封装紧凑可提供3.45mm高度的薄款型号
发布时间:2024/7/25 8:41:41 访问次数:32
节点的1β DRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证，并做好了量产准备。美光率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术，其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有显著提升，将为市场带来巨大收益。
除了移动应用，基于1β节点的DRAM产品还具备低延迟、低功耗和高性能的特点，能够支持智能汽车和数据中心等应用所需的快速响应、实时服务、个性化和沉浸式体验。
除了变压器，新的WE-BMS系列产品中还内置了共模电感，用于过滤共模噪音。相较市面同类产品，爬电距离设计更长，但封装紧凑，可提供3.45mm高度的薄款型号。
该系列智能功率模块具有同类产品中更低的开关损耗，可实现出色的系统能效，尤其是用于高开关频率应用时性能表现尤为突出。
高精度温度 – 高达±0.1℃
湿度 – 高达±0.8% RH
响应速度快 - 温度：TT<1s，TRH<3s
超低功耗 - 40nA待机电流
智能功率模块采用了全新的600V逆导型驱动器2（RCD2）IGBT技术，并且带有开放式发射极。
CIPOS IM523系列智能功率模块集成多种功率和控制器件来提高可靠性，优化PCB尺寸并降低系统成本，还可用于控制各类低、中功率的变频器中的三相电机，如家用电器、暖通空调（HVAC）以及1.4KW以下的工业风扇和驱动器等。XC4VFX60-11FFG672I
RCD2 IGBT与功能全面的绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器相结合，可降低整个系统的功率损耗。同时，将带有开放式发射极的三相逆变器配置集成至DIP 36x21封装中，这种封装理念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的电源应用。
http://jhbdt1.51dzw.com深圳市俊晖半导体有限公司
节点的1β DRAM产品已开始向部分智能手机制造商和芯片平台合作伙伴送样以进行验证，并做好了量产准备。美光率先在低功耗LPDDR5X移动内存上采用该新一代制程技术，其最高速率可达每秒8.5Gb。该节点在性能、密度和能效方面都有显著提升，将为市场带来巨大收益。
除了移动应用，基于1β节点的DRAM产品还具备低延迟、低功耗和高性能的特点，能够支持智能汽车和数据中心等应用所需的快速响应、实时服务、个性化和沉浸式体验。
除了变压器，新的WE-BMS系列产品中还内置了共模电感，用于过滤共模噪音。相较市面同类产品，爬电距离设计更长，但封装紧凑，可提供3.45mm高度的薄款型号。
该系列智能功率模块具有同类产品中更低的开关损耗，可实现出色的系统能效，尤其是用于高开关频率应用时性能表现尤为突出。
高精度温度 – 高达±0.1℃
湿度 – 高达±0.8% RH
响应速度快 - 温度：TT<1s，TRH<3s
超低功耗 - 40nA待机电流
智能功率模块采用了全新的600V逆导型驱动器2（RCD2）IGBT技术，并且带有开放式发射极。
CIPOS IM523系列智能功率模块集成多种功率和控制器件来提高可靠性，优化PCB尺寸并降低系统成本，还可用于控制各类低、中功率的变频器中的三相电机，如家用电器、暖通空调（HVAC）以及1.4KW以下的工业风扇和驱动器等。XC4VFX60-11FFG672I
RCD2 IGBT与功能全面的绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器相结合，可降低整个系统的功率损耗。同时，将带有开放式发射极的三相逆变器配置集成至DIP 36x21封装中，这种封装理念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的电源应用。
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