横向MXM插槽产品内部寄存器和I2C通信连续CRC错误校验
发布时间:2022/12/3 23:45:55 访问次数:203
下一代车载摄像头应用的创新车规级电源管理IC(PMIC)——RAA271082。
作为一款符合ISO-26262标准的多功能多输出电源IC,RAA271082包含一个初级高压同步降压稳压器、两个次级低压同步降压稳压器和一个低压LDO稳压器,并提供四个过压和欠压(OV/UV)监控器、I2C通信、一个可配置通用I/O引脚,以及一个专用复位输出/故障指示。
为满足严格的ASIL B标准,RAA271082具备用于OV/UV监控器的第二独立参考、内置上电自检、独立OV/UV监控器,以及内部寄存器和I2C通信的连续CRC错误校验。
ENS21x高精度高性能数字温湿度传感器系列,将温湿度测量水平推向行业新高,可满足汽车、工业、消费电子以及仪器仪表应用的精准测量需求。
ENS21x系列产品在单个芯片上集成了高精度的相对湿度和温度传感器,具有行业领先的精度,温度测量精度可达0.1°C,相对湿度测量精度为0.8%。该系列产品包括面向汽车应用的ENS210A、面向消费与家电的ENS211与ENS212、面向高湿度环境的ENS213A以及面向仪器仪表使用的ENS215。
AIMB-288E作为第一款横向MXM插槽产品,可以安装在1U的机箱中。利用薄款的散热系统,即使在55℃(131℃)的环境中也能充分发挥100%的性能。毫无疑问,这种设计可以帮助AI边缘计算相关人员开箱即用,大大降低开发者的工作量与相关成本,并缩短整体上市周期。
第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求,更好地提供差异化产品和解决方案,有望成为未来存储创新的基础。
通过这项技术,三星显著的提升每片晶圆的存储密度,使三星的存储密度达到了新的高度。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND,其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。
三星第8代V-NAND有望成为存储配置的基石,帮助扩展下一代企业服务器的存储容量,同时其应用范围还将拓展至可靠性尤为重要的车载市场。
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
来源:eccn.如涉版权请联系删除。图片供参考
下一代车载摄像头应用的创新车规级电源管理IC(PMIC)——RAA271082。
作为一款符合ISO-26262标准的多功能多输出电源IC,RAA271082包含一个初级高压同步降压稳压器、两个次级低压同步降压稳压器和一个低压LDO稳压器,并提供四个过压和欠压(OV/UV)监控器、I2C通信、一个可配置通用I/O引脚,以及一个专用复位输出/故障指示。
为满足严格的ASIL B标准,RAA271082具备用于OV/UV监控器的第二独立参考、内置上电自检、独立OV/UV监控器,以及内部寄存器和I2C通信的连续CRC错误校验。
ENS21x高精度高性能数字温湿度传感器系列,将温湿度测量水平推向行业新高,可满足汽车、工业、消费电子以及仪器仪表应用的精准测量需求。
ENS21x系列产品在单个芯片上集成了高精度的相对湿度和温度传感器,具有行业领先的精度,温度测量精度可达0.1°C,相对湿度测量精度为0.8%。该系列产品包括面向汽车应用的ENS210A、面向消费与家电的ENS211与ENS212、面向高湿度环境的ENS213A以及面向仪器仪表使用的ENS215。
AIMB-288E作为第一款横向MXM插槽产品,可以安装在1U的机箱中。利用薄款的散热系统,即使在55℃(131℃)的环境中也能充分发挥100%的性能。毫无疑问,这种设计可以帮助AI边缘计算相关人员开箱即用,大大降低开发者的工作量与相关成本,并缩短整体上市周期。
第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求,更好地提供差异化产品和解决方案,有望成为未来存储创新的基础。
通过这项技术,三星显著的提升每片晶圆的存储密度,使三星的存储密度达到了新的高度。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口*的三星第8代V-NAND,其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。
三星第8代V-NAND有望成为存储配置的基石,帮助扩展下一代企业服务器的存储容量,同时其应用范围还将拓展至可靠性尤为重要的车载市场。
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