A31316集成了一个曼彻斯特接口（Manchester interface），用于通过输出引脚对 EEPROM 进行编程，从而无需另外单独的编程接口。它能够可靠地存储工厂和客户编程的校准设置，并带有供客户使用的专用寄存器。 EEPROM编程不需要高压电源，A31316可以直接使用5V电源电压进行编程，从而能够与微控制器或其他低电压器件集成。

该IC包括业界快速SENT协议，滴答时间(tick time)为0.5～10μs，并包括一个脉宽调制(PWM)接口，载波频率为125Hz～16kHz，用于与微控制器的简单数字接口。

A31316传感器遵循独立安全单元(SEooC)等功能安全指南，支持符合ISO 26262的ASIL B系统级集成，并且符合AEC-Q100 Grade 0汽车标准。

SMD封装和THD封装的器件的导通电阻（RDS(on)）值，最高可降低55%，例如DPAK封装中器件的导通电阻值为450mΩ或TO247封装中器件的导通电阻值为60mΩ。

设计人员可通过减小封装尺寸、大幅提高功率密度并节省电路板空间，降低BOM成本和生产成本。其柵极-源极阈值电压（V(GS),th）为3V，V(GS),th最低变化范围为±0.5V，可方便新器件的设计导入和驱动，提高了设计自由度；利用低阈值电压和容差可避免使用MOSFET线性模式，降低了驱动电压和闲置损耗。

另外，与CoolMOS C3相比，新产品系列的栅极电荷改善了60%，大大降低了驱动损耗，而且能够达到人体放电模型（HBM）（2级静电放电敏感度）标准，保证了静电放电（ESD）的稳健性，进而减少了与ESD有关的设备故障，提高了产量。

新产品系列适用于反激式、PFC和LLC/LCC设计，包括使电源换向变得稳定而可靠的半桥或全桥配置。

通过集成具有超低反向恢复电荷（Qrr）的超快速体二极管，该系列产品实现了硬换向的稳健性和可靠性，并成为该电压级别中更稳健的超结 MOSFET，可适用于目标应用中的所有拓扑结构。

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