1片E2PROM芯片保存设置参数及采集数据多种运行模式
发布时间:2022/11/28 19:01:31 访问次数:293
AVR高速嵌入式单片机是8位RISC MCU，执行大多数指令只需一个时钟周期，速度快（8MHz AVR的运行速度约等于200MHz C51的运行速度）；32个通用寄存器直接与ALU相连，消除和运算瓶颈。内嵌可串行下载或自我编程的Flash和EPPROM，功能繁多，具有多种运行模式。
Atmega128高速嵌入式单片机，开发无线数据传输装置。为了实现无线数据传输时的安全性，同时尽可能节省成本，采用软件进行加密、解密。这就对算法的简法性、高速性及适应性提出了很高的要求。RC5和RC6两种新型的分组加密算法能够比较好地满足上述的要求。
用于8051系列单片机的多任务实时操作系统。它有两个版本，RTX51 FULL和RTX51 TINY。
RTX51 TINY是RTX51 FULL的子集，仅支持按时间片循环任务调度，支持任务间信号传递，最大16个任务，可以并行地利用中断。具有以下等待操作：超时、另一个任务或中断的信号。但它不能进行信息处理，不支持存储区的分配和释放，不支持占先式调度。
RTX51 TINY一个很小的内核，完全集成在KEIL C51编译器中。更重要的是，它仅占用800字节左右的程序存储空间，可以在没有外放数据存储器的8051系统中运行，但应用程序仍然可以访问外部存储器。RTX51 TINY下文简称为内核。
有两组16位报警时间/频率事件设置寄存器，用于设置报警时间或频率事件，由INTxAE与INTxFE控制。设定的AM/PM标志位必须同12小时制或24小时制相对应，否则，设定的小时数将与报警数据不匹配。
嵌入式系统一般均需要涉及到系统设置参数及采集数据保存的问题。通常的做法是，通过扩展1片E2PROM芯片来保存设置参数及采集的数据，但E2PROM存在擦写寿命有限及数据存储的可靠性不高等问题.
而利用SD2001E片内32KB、擦写数为100亿次的高性能NVRAM，则几乎不用考虑存储器的擦写寿命及数据存储的可靠性问题。因而，SD2001E为需频繁读写数据的应用领域提供了很好的解决方案。
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
来源：21ic.如涉版权请联系删除。图片供参考
AVR高速嵌入式单片机是8位RISC MCU，执行大多数指令只需一个时钟周期，速度快（8MHz AVR的运行速度约等于200MHz C51的运行速度）；32个通用寄存器直接与ALU相连，消除和运算瓶颈。内嵌可串行下载或自我编程的Flash和EPPROM，功能繁多，具有多种运行模式。
Atmega128高速嵌入式单片机，开发无线数据传输装置。为了实现无线数据传输时的安全性，同时尽可能节省成本，采用软件进行加密、解密。这就对算法的简法性、高速性及适应性提出了很高的要求。RC5和RC6两种新型的分组加密算法能够比较好地满足上述的要求。
用于8051系列单片机的多任务实时操作系统。它有两个版本，RTX51 FULL和RTX51 TINY。
RTX51 TINY是RTX51 FULL的子集，仅支持按时间片循环任务调度，支持任务间信号传递，最大16个任务，可以并行地利用中断。具有以下等待操作：超时、另一个任务或中断的信号。但它不能进行信息处理，不支持存储区的分配和释放，不支持占先式调度。
RTX51 TINY一个很小的内核，完全集成在KEIL C51编译器中。更重要的是，它仅占用800字节左右的程序存储空间，可以在没有外放数据存储器的8051系统中运行，但应用程序仍然可以访问外部存储器。RTX51 TINY下文简称为内核。
有两组16位报警时间/频率事件设置寄存器，用于设置报警时间或频率事件，由INTxAE与INTxFE控制。设定的AM/PM标志位必须同12小时制或24小时制相对应，否则，设定的小时数将与报警数据不匹配。
嵌入式系统一般均需要涉及到系统设置参数及采集数据保存的问题。通常的做法是，通过扩展1片E2PROM芯片来保存设置参数及采集的数据，但E2PROM存在擦写寿命有限及数据存储的可靠性不高等问题.
而利用SD2001E片内32KB、擦写数为100亿次的高性能NVRAM，则几乎不用考虑存储器的擦写寿命及数据存储的可靠性问题。因而，SD2001E为需频繁读写数据的应用领域提供了很好的解决方案。
上海德懿电子科技有限公司 www.deyie.com
来源：21ic.如涉版权请联系删除。图片供参考
相关技术资料- 4-30高通舱驾融合控制器SA8775P SoC
- 4-30Oryon CPU、Adreno GPU核心模块技术
- 4-30骁龙Snapdragon Ride平台应用探究
- 4-30LED驱动器、隔离驱动器市场应用前景
- 4-30MemryX MX3 AI 芯片应用简介
- 4-30信号链和电源管理芯片市场应用详解
- 4-293kV SBD嵌入式SiC MOSFET模块应用概述
- 4-29工业用GaN晶体管产品系列CoolGaN G5研究
- 4-29全球首款集成SBD（肖特基二极管）详解
- 4-29NVIDIA DRIVE Thor SoC芯片数据参数设计
- 4-29Orin-X芯片L4级全场景解决方案
- 4-29全球首发新一代Robotaxi探究
公网安备44030402000607
