安森美半导体(ON Semiconductor)日前推出八款新型N沟道和P沟道、低压Trench MOSFET，以扩展其沟道技术器件系列。新器件为小信号、20V MOSFET，适用于-430mA至-950mA应用，如功率负载开关、电源转换器电路和手机、数码相机、PDA、寻呼机、媒体播放器，以及便携式GPS系统中的电池管理等。

　　这些新型的低压MOSFET采用安森美公司的Trench技术，增大了沟道长度和等效沟道密度，同时降低了漏极和源极之间的电阻(RDS(on))，其RDS(on)范围介于150至900mΩ之间，因此可以导通更大电流。

　　安森美的这几款Trench MOSFET提供三种小型超薄封装选择，尺寸为1.6mm×1.6mm，厚度为0.6mm至1.0mm，有助于节省板空间。该公司将齐纳二极管集成入Trench MOSFET的门，以此提供良好的ESD保护。

　　这八款低压Trench MOSFET器件中的NTA4151PT1、NTE4151PT1、NTZS3151PT1和NTZD3152PT1是用于850mA高端负载开关的P沟道MOSFET，提供单模式和双模式；NTA4153NT1、NTE4153NT1和NTZD3154NT1是用于高达915mA低端负载开关的N沟道MOSFET，提供单模式和双模式；NTZD3155CT1是互补N沟道和P沟道的组合，用于集成负载开关或小电流DC-DC转换。

　　上述每个器件均提供三种薄型1.6×1.6mm封装。6引脚高度为0.6mm的SOT-563和3引脚高度0.8mm的SC-89为扁平引脚封装。3引脚高度为1.0mm的SC-75为鸥翼式器件。扁平引脚封装与业内标准的鸥翼式封装相比，具有额外的热性能。新器件每10,000件的批量单价在0.10美元至0.12美元之间(仅供参考)。

     （转自　国际电子商情）