互连技术减少片上通信的瓶颈扩展DDR存储通道的选项
发布时间:2022/11/21 1:06:21 访问次数:150
GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列,采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封装,最大厚度仅为0.4mm,在如此紧凑、轻薄的空间内,其功耗、电压范围等方面均实现了进一步提升,为消费电子、可穿戴设备、物联网以及便携式健康监测设备等对电池寿命和紧凑型设计有着严苛需求的应用提供了理想选择。
Arteris FlexNoC技术是一种具有灵活主干的片上通信解决方案。
产品提供了可扩展性,可实现功耗、性能和面积目标。这种互连技术减少了片上通信的瓶颈,并扩展了管理 DDR存储通道之间交错的选项,这是开发最先进的视觉系统时的一个额外好处。
GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列采用仅为1.2mm×1.2mm的超小型USON6封装,相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封装产品,缩小了高达36%的占板面积,为空间受限的产品提供了更大的设计自由度。
在低功耗设计方面,兆易创新将GD25WDxxK6系列的功耗控制在极低水平内,在待机状态下,电流仅为0.1μA,可显著延长电子设备的电池寿命。
因此,232层NAND解决方案可实现高性能与低功耗平衡,是移动应用以及数据中心和智能边缘领域部署的理想之选。此外,该接口还可向后兼容,支持传统控制器和系统。
X3-9070具有如下技术特点:
X3-9070实现高达2400MT/s的I/O传输速率,符合ONFI5.0规范;相较于长江存储上一代产品实现了50%的性能提升;
得益于晶栈3.0的架构创新,X3-9070成为了长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品,能够在更小的单颗芯片中实现1Tb的存储容量;
得益于创新的6-plane设计,X3-9070相比传统4-plane,性能提升50%以上,同时功耗降低25%,能效比显著提升,可为终端用户带来更具吸引力的总体拥有成本(TCO)。
GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列,采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封装,最大厚度仅为0.4mm,在如此紧凑、轻薄的空间内,其功耗、电压范围等方面均实现了进一步提升,为消费电子、可穿戴设备、物联网以及便携式健康监测设备等对电池寿命和紧凑型设计有着严苛需求的应用提供了理想选择。
Arteris FlexNoC技术是一种具有灵活主干的片上通信解决方案。
产品提供了可扩展性,可实现功耗、性能和面积目标。这种互连技术减少了片上通信的瓶颈,并扩展了管理 DDR存储通道之间交错的选项,这是开发最先进的视觉系统时的一个额外好处。
GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列采用仅为1.2mm×1.2mm的超小型USON6封装,相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封装产品,缩小了高达36%的占板面积,为空间受限的产品提供了更大的设计自由度。
在低功耗设计方面,兆易创新将GD25WDxxK6系列的功耗控制在极低水平内,在待机状态下,电流仅为0.1μA,可显著延长电子设备的电池寿命。
因此,232层NAND解决方案可实现高性能与低功耗平衡,是移动应用以及数据中心和智能边缘领域部署的理想之选。此外,该接口还可向后兼容,支持传统控制器和系统。
X3-9070具有如下技术特点:
X3-9070实现高达2400MT/s的I/O传输速率,符合ONFI5.0规范;相较于长江存储上一代产品实现了50%的性能提升;
得益于晶栈3.0的架构创新,X3-9070成为了长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品,能够在更小的单颗芯片中实现1Tb的存储容量;
得益于创新的6-plane设计,X3-9070相比传统4-plane,性能提升50%以上,同时功耗降低25%,能效比显著提升,可为终端用户带来更具吸引力的总体拥有成本(TCO)。