Micro LED被誉为新时代显示技术，但目前仍面临关键技术、良率、和成本的挑战。

微米级的Micro LED已经脱离了常规LED工艺，迈入类IC制程。相对其它竞争方案，大尺寸硅衬底氮化镓（GaN）Micro LED技术在制程良率、圆晶成本、IC工艺兼容度等方面具有显著优势，已成为业内公认的重要技术路线之一。

当前，Plessey、ALLOS 、STRATACACHE、Aledia、MICLEDI等国际企业都在专注于硅衬底Micro LED的开发。以晶能光电为产业界代表，硅衬底Micro LED技术开发同样汇聚了强大的推动力量。

晶能光电外延工艺在硅衬底氮化镓Micro LED外延和芯片方面的进展。

以36K/10K为例计算，上分压电阻就是R2=36K , 下分压电阻等于R3+R4+R5+R6+R7之和；

从电流VS电压曲线可以看出，在同样电流20mA下，LED1电压为1.8V，LED2电压为 1.9V，在并联使用时由于电压的不一致性，在导通时低电压的灯珠会有钳位作用，那LED1电压会钳位在1.8V，此时这颗LED1灯珠流过的电流为20mA.

AS8579在封装方面，采用了小型化的SSOP24的封装，可以使系统更加紧凑，降低附加成本。

电瓶电压12V时点亮LED2，上分压电阻上的电压为9.5V，下分压电阻上的电压为2.5V，由于串联电路里电流相等，那么设R3为x ，列一元一次方程：

9.5/(36+x） = 2.5/（10–x） 计算后得到x=0.43478 取标准系列电阻里的430欧；

同样的计算方法，可以得到12.5V和13.5V的分压电阻。

12.5V分压后为10/2.5

10/(36+0.43+x)=2.5/(10–0.43–x)计算后得到x=0.37取标准系列电阻里的360欧；

13.5V分压后为11/2.5

11/(36+0.43+0.36+x)=2.5/(10–0.43–0.36–x)计算后得到x=0.69148取标准系列电阻里的680 欧。

8.2+0.33+0.68+0.36+0.43=10都是标准系列阻值，相加后符合11.5V下分压电阻总数值10K的要求。