工业电机驱动器、AC/DC和DC/DC逆变器/转换器、电池充电器、储能系统等，人们不遗余力地追求更高效率、更小尺寸和更优性能。性能要求越来越严苛，已经超出了硅(Si)基MOSFET的能力，因而基于碳化硅(SiC)的新型晶体管架构应运而生。

虽然新式器件在所有关键性能指标方面都有明显的优势，但由于各种局限性和应用的不确定性，设计人员对第一代SiC器件持谨慎态度是明智的。第二代器件规格方面经过优化，也更多地考虑到了器件的细节。一方面SiC MOSFET性能不断提升，另一方面上市时间的压力加剧，设计人员开始使用这些新式器件来达成产品目标。基于SiC的电源装置已经成熟。这些器件在所有关键参数方面都做了改进，同时借鉴了前几代器件的设计导入经验和相关专业知识。

附件包中包含了一个说明文件，详细说明了如何设置板上的跳线和操作的过程。

减少检测(ADC)、处理(CPU)和控制(PWM)间延迟的C2000实时MCU架构，因此仅消耗40KB的闪存和 30%的中央处理单元(CPU)。Arm®Cortex®-M7F MCU需要以240MHz运行，才能提供与我们的120MHz器件相同的整体性能。  

单电机和电机增强型PFC应用，具有更小的TMS320F2800137系列48或32引脚封装和64KB至256KB片上非易失性闪存选项。该参考设计也可用来提高住宅空调系统电机到变速、变负载系统（从工业应用中的低压电池供电器件到超高功耗的交流驱动器）中几乎所有电机的效率。  

这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2提到的问题。

在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出需求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。