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将磁铁按下应无卡阻且动作灵活右侧的IGBT瞬态热阻曲线

发布时间:2022/11/15 12:32:44 访问次数:95

两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件,适用于高速数据线中重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计,而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。

这两款产品均使用Nexperia成熟TrEOS技术,集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。

这有助于补偿保护器件和重定时器之间减少的电感,从而提高整体系统级ESD稳健性。

为达到ESD的预算损耗建议值,这两款器件均可提供超低插入损耗(10GHz下为-0.29 dB)和回波损耗(10GHz下为-20.6dB)。与其他解决方案不同的是,电容不会随工作电压增加,可提供完整的RF性能直到反向截止电压。

z为中性接线柱,交流接触器与熔断器(保护短路)、热继电器(保护过载)配合可以直接起动电动机或控制各种电气线路。是电气系统最常用的元件。虽然交流接触器的型号很多,但构造基本上是相同的。

测试外观检查应无破损缺件锈蚀现象,用手将磁铁按下应无卡阻且动作灵活,这时主触头应闭合,其辅助触头应相应动作,常开闭合,常闭打开。可用万用表欧姆挡测量。

线圈上的文字标注查出其工作电压值(一般为380V或220Ⅴ,也有127Ⅴ或110Ⅴ的以及36Ⅴ,24V不等),这里要特别仔细观察,千万不能弄错。

集射极CE两端电压越高,IGBT所能承受的电流脉冲幅值越低,另外,电流脉冲宽度越大,IGBT所能承受的电流幅值也越低。

蓝色CD段各种脉冲宽度下的SOA,均是单脉冲安全工作区,非连续工作情况下的工作区,所以,必须参考右侧的IGBT瞬态热阻曲线,在指定VCE条件下允许的电流IC的幅值和脉宽。

DE段最容易理解,它规定了IGBT的集射极CE击穿电压,需要注意的是,IGBT的CE击穿电压是和结温正相关的,结温越低,CE击穿电压也越低。


两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件,适用于高速数据线中重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计,而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。

这两款产品均使用Nexperia成熟TrEOS技术,集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。

这有助于补偿保护器件和重定时器之间减少的电感,从而提高整体系统级ESD稳健性。

为达到ESD的预算损耗建议值,这两款器件均可提供超低插入损耗(10GHz下为-0.29 dB)和回波损耗(10GHz下为-20.6dB)。与其他解决方案不同的是,电容不会随工作电压增加,可提供完整的RF性能直到反向截止电压。

z为中性接线柱,交流接触器与熔断器(保护短路)、热继电器(保护过载)配合可以直接起动电动机或控制各种电气线路。是电气系统最常用的元件。虽然交流接触器的型号很多,但构造基本上是相同的。

测试外观检查应无破损缺件锈蚀现象,用手将磁铁按下应无卡阻且动作灵活,这时主触头应闭合,其辅助触头应相应动作,常开闭合,常闭打开。可用万用表欧姆挡测量。

线圈上的文字标注查出其工作电压值(一般为380V或220Ⅴ,也有127Ⅴ或110Ⅴ的以及36Ⅴ,24V不等),这里要特别仔细观察,千万不能弄错。

集射极CE两端电压越高,IGBT所能承受的电流脉冲幅值越低,另外,电流脉冲宽度越大,IGBT所能承受的电流幅值也越低。

蓝色CD段各种脉冲宽度下的SOA,均是单脉冲安全工作区,非连续工作情况下的工作区,所以,必须参考右侧的IGBT瞬态热阻曲线,在指定VCE条件下允许的电流IC的幅值和脉宽。

DE段最容易理解,它规定了IGBT的集射极CE击穿电压,需要注意的是,IGBT的CE击穿电压是和结温正相关的,结温越低,CE击穿电压也越低。


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