将磁铁按下应无卡阻且动作灵活右侧的IGBT瞬态热阻曲线
发布时间:2022/11/15 12:32:44 访问次数:95
两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件,适用于高速数据线中重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计,而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。
这两款产品均使用Nexperia成熟TrEOS技术,集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。
这有助于补偿保护器件和重定时器之间减少的电感,从而提高整体系统级ESD稳健性。
为达到ESD的预算损耗建议值,这两款器件均可提供超低插入损耗(10GHz下为-0.29 dB)和回波损耗(10GHz下为-20.6dB)。与其他解决方案不同的是,电容不会随工作电压增加,可提供完整的RF性能直到反向截止电压。
测试外观检查应无破损缺件锈蚀现象,用手将磁铁按下应无卡阻且动作灵活,这时主触头应闭合,其辅助触头应相应动作,常开闭合,常闭打开。可用万用表欧姆挡测量。
线圈上的文字标注查出其工作电压值(一般为380V或220Ⅴ,也有127Ⅴ或110Ⅴ的以及36Ⅴ,24V不等),这里要特别仔细观察,千万不能弄错。
蓝色CD段各种脉冲宽度下的SOA,均是单脉冲安全工作区,非连续工作情况下的工作区,所以,必须参考右侧的IGBT瞬态热阻曲线,在指定VCE条件下允许的电流IC的幅值和脉宽。
DE段最容易理解,它规定了IGBT的集射极CE击穿电压,需要注意的是,IGBT的CE击穿电压是和结温正相关的,结温越低,CE击穿电压也越低。
两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件,适用于高速数据线中重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计,而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。
这两款产品均使用Nexperia成熟TrEOS技术,集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。
这有助于补偿保护器件和重定时器之间减少的电感,从而提高整体系统级ESD稳健性。
为达到ESD的预算损耗建议值,这两款器件均可提供超低插入损耗(10GHz下为-0.29 dB)和回波损耗(10GHz下为-20.6dB)。与其他解决方案不同的是,电容不会随工作电压增加,可提供完整的RF性能直到反向截止电压。
测试外观检查应无破损缺件锈蚀现象,用手将磁铁按下应无卡阻且动作灵活,这时主触头应闭合,其辅助触头应相应动作,常开闭合,常闭打开。可用万用表欧姆挡测量。
线圈上的文字标注查出其工作电压值(一般为380V或220Ⅴ,也有127Ⅴ或110Ⅴ的以及36Ⅴ,24V不等),这里要特别仔细观察,千万不能弄错。
蓝色CD段各种脉冲宽度下的SOA,均是单脉冲安全工作区,非连续工作情况下的工作区,所以,必须参考右侧的IGBT瞬态热阻曲线,在指定VCE条件下允许的电流IC的幅值和脉宽。
DE段最容易理解,它规定了IGBT的集射极CE击穿电压,需要注意的是,IGBT的CE击穿电压是和结温正相关的,结温越低,CE击穿电压也越低。