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C0G陶瓷和堆叠薄膜电容器切换外部MOSFET缩短死区时间

发布时间:2022/11/14 1:19:38 访问次数:63

TPS4030x系列等DC/DC控制器经过优化,可提高效率并包含当今多轨处理器所需的高级功能。TPS4030x系列具有强大的驱动器,可快速切换外部MOSFET并缩短死区时间,从而在整个负载范围内实现高效率。

带有集成二极管的自举电路还允许使用低R DS(ON)N沟道MOSFET作为高端开关。

TPS4030x 系列同步降压控制器在3至20V输入范围内工作,支持3.3V、5V和12V的中间总线电压。这些控制器实施电压模式控制架构。频率扩展频谱(FSS)功能为开关频率增加了抖动,从而显着降低了峰值EMI噪声并使其更容易符合EMI标准。

在选择保护器件时需要注意两点:ESD保护器件的寄生电容要足够低,V-by-One®HS和V-by的寄生电容下限-一个®美国是不同的。对于Direct pin injection测试,ESD事件期间ESD保护器件的钳位电压必须足够低,以防止传输过程中的错误和T-CON损坏。

Amazing Microelectronic 提供最有效的ESD保护器件——TVS(瞬态电压抑制器件)。与其他ESD保护器件相比,TVS的低钳位电压特性使其保护效果达到A级。

LVDS和V-by-One®HS的一般寄生电容为0.45pF TVS[AZ1043-08F],其布局Feed-through的特性使布局更方便,更容易实现阻抗匹配。

8K阶段的V-by-One®US,由于差分对的传输速度达到16Gbps,推荐使用能够通过IEC 61000最高测试等级的AZ111S-08F TVS -4-2:接触8kV/空气15kV,其极低的寄生电容(0.1pF)满足未来各种高速应用。

设置仅限于Sound Blaster中DAC的16位失真。我按预期测量了各种0.01μF、C0G陶瓷和堆叠薄膜电容器。他们没有给输出增加可测量的失真。

热管理在封装选择过程中至关重要,以确保产品的高可靠性。良好的热评估需要结合分析计算、经验分析和热建模。问题在于确定特定集成电路在高温下是否可靠。如果不遵循特定的分析方法,就不可能提供可靠的答案。在直流模式操作中,一些参数如热阻(θ JA )和结温(θ JC)。

来源:21ic.如涉版权请联系删除。图片供参考

TPS4030x系列等DC/DC控制器经过优化,可提高效率并包含当今多轨处理器所需的高级功能。TPS4030x系列具有强大的驱动器,可快速切换外部MOSFET并缩短死区时间,从而在整个负载范围内实现高效率。

带有集成二极管的自举电路还允许使用低R DS(ON)N沟道MOSFET作为高端开关。

TPS4030x 系列同步降压控制器在3至20V输入范围内工作,支持3.3V、5V和12V的中间总线电压。这些控制器实施电压模式控制架构。频率扩展频谱(FSS)功能为开关频率增加了抖动,从而显着降低了峰值EMI噪声并使其更容易符合EMI标准。

在选择保护器件时需要注意两点:ESD保护器件的寄生电容要足够低,V-by-One®HS和V-by的寄生电容下限-一个®美国是不同的。对于Direct pin injection测试,ESD事件期间ESD保护器件的钳位电压必须足够低,以防止传输过程中的错误和T-CON损坏。

Amazing Microelectronic 提供最有效的ESD保护器件——TVS(瞬态电压抑制器件)。与其他ESD保护器件相比,TVS的低钳位电压特性使其保护效果达到A级。

LVDS和V-by-One®HS的一般寄生电容为0.45pF TVS[AZ1043-08F],其布局Feed-through的特性使布局更方便,更容易实现阻抗匹配。

8K阶段的V-by-One®US,由于差分对的传输速度达到16Gbps,推荐使用能够通过IEC 61000最高测试等级的AZ111S-08F TVS -4-2:接触8kV/空气15kV,其极低的寄生电容(0.1pF)满足未来各种高速应用。

设置仅限于Sound Blaster中DAC的16位失真。我按预期测量了各种0.01μF、C0G陶瓷和堆叠薄膜电容器。他们没有给输出增加可测量的失真。

热管理在封装选择过程中至关重要,以确保产品的高可靠性。良好的热评估需要结合分析计算、经验分析和热建模。问题在于确定特定集成电路在高温下是否可靠。如果不遵循特定的分析方法,就不可能提供可靠的答案。在直流模式操作中,一些参数如热阻(θ JA )和结温(θ JC)。

来源:21ic.如涉版权请联系删除。图片供参考

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