GaN的击穿电场比硅高10倍以上(3.3MV/cm对0.3MV/cm)，允许基于GaN的功率器件在损坏之前支持高10倍的电压。

在相同的电压值下运行，GaN器件表现出较低的温度并产生较少的热量。因此，它们可以在比硅更高的温度下工作，这受到其较低的结温(150°C至175°C)的限制。

由于其固有结构，GaN可以在比硅更高的频率下开关，具有低RDS(on)，并具有出色的反向恢复能力。这反过来又会产生高效率，同时减少开关和功率损耗。

作为一种高电子迁移率晶体管，GaN器件具有比硅器件更高的电场强度，从而允许更小的芯片尺寸和更小的占位面积。

当TVS处于关闭状态时，其漏电流在1μA以下。一旦被触发，它将迅速成为一个低阻抗元件，并将大部分能量旁路到地。

当ESD事件发生时，TVS将立即开启。然后它将大部分能量旁路到地，并将电压钳制在适当的水平以保持系统稳定。如果TVS将电压钳制在一个高值，系统仍可能受到干扰或损坏。因此，钳位电压TVS越低TVS越好。

特征描述

VRWM_略高于电源轨电压以确保安全裕度

方向性单向优化负钳位电压

漏电流低漏电流，低功耗

ESD钳位电压低钳位电压提供有效保护

浪涌Ipp(8/20μs)低场返回率的高浪涌鲁棒性

ESD IEC61000-4-2高ESD稳健性，适用于大多数严格的测试标准

包装尺寸紧凑型设备的小封装

电池电源轨的惊人优化ESD保护解决方案---AZ5A16-01M

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