GaN的性能和可靠性与通道上的温度和焦耳热效应有关。集成到GaN中的SiC和金刚石等衬底可以改善热管理。这使得降低设备的工作温度成为可能。

SiC上的GaN是一种非常适用于甚高频(RF)应用的解决方案，可用于未来可与5G配合使用的设备。GaN on Si在紧凑型USB PD充电器等低压(<200V)产品中保持其地位。在600V和650V之间的范围内，这两种技术在低于2kW的应用中工作得非常好。

由于其在开关损耗方面的出色性能，GaN可以成为需要兆赫(MHz)范围内开关频率的正确解决方案。通过增加开关频率和电流值，弱电阻(比SiC大2-3倍)可以在器件和系统成本方面限制高温应用。

我们日常看到的手机、智能穿戴、无线耳机、电子烟甚至AR护目镜都被大家津津乐道，小尺寸0201封装是电子PCB设计的主流。更重要的是，具有更高集成密度的系统级封装(SiP)并非闻所未闻。

电池电源轨的ESD/浪涌保护需求,每次我们打开电子产品的电源时,电池电源轨上经常会出现电源尖峰。

或者，如果用户正在更换电池，电子产品的电池电源导轨将面临静电干扰或损坏的风险。这就是为什么产品研发工程师在设计产品时不断努力提供适当的浪涌保护(ESD、浪涌尖峰)以提高产品可靠性。

冷却对于电路的性能和使用寿命至关重要。如今，双面冷却电源模块可提供卓越的冷却性能，以提高对热循环的鲁棒性。半导体管芯夹在传统的直接键合铜(DBC)基板之间，基板直接冷却，而不是通过传统的散热器、散热器组件。

理想的散热片材料必须具有高导热性、低热膨胀系数、低密度和低成本。使用的材料是铜和铝：前者用于需要最大热传递效率的情况，成本更高，比重更大;后者适用于要求不高的操作条件。

然而，近来，正在研究一门关于热材料的新科学，在不久的将来，技术将有助于生产性能更好、成本更低的新材料。

来源：eefocus.如涉版权请联系删除。图片供参考