新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适用于主流的800V总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。

第四代器件扩充了1200V产品系列，为工程师将总线设计电压提高到800V提供了有力支持。在电动汽车中，这种电压升高无法避免；这些新器件支持四种不同的RDS(on)(漏源导通电阻)等级，有助于设计师为每项设计选择合适的SiC器件。

这两款驱动器均包含有内置电流感测功能，无需外部电流感测电阻器，并将所需的外部组件数量可减少至七个，所集成的诊断功能也可不再需要附加微处理器编程和其它附加电路。

设计人员可将所需功能集成到更小的系统空间，减小材料清单(BOM)和印刷电路板尺寸，同时提高性能，并改善消费者体验。

两款产品都能够提供50V的绝对最大电源电压，在低VBB下可提供更高的栅极驱动电压，并在使用电池供电时能够提供更高的效率，从而允许设计人员采用较低成本的FET。这些器件还可以在待机状态下降低电流消耗，以降低总电池负载。

SCALE EV具备完善的保护措施，集成了主动短路、对所连接直流母线电容的主动放电、通过主动门极控制实现过压限制，以及门极监测、信号传输监测和芯片内温度监测等诊断功能，对于SiC MOSFET开关的短路和过流响应时间小于1微秒，而IGBT开关的短路和过流响应时间小于3微秒。

通过两个两个连接器，分别为上管和下管提供驱动信号。当遇到突发情况，两个连接器同时出现故障的概率会减少很多，这样就能保证始终有一个半桥保持连通。