Cortex-M0+内核管理射频通信适合DC-Link缓冲和滤波应用
发布时间:2022/11/1 13:31:01 访问次数:74
193 PUR-SI Solar系列电容器采用圆柱形铝壳，带泄压阀，用蓝色套筒绝缘，从35mmx30mm到35mm x60mm有五种封装尺寸。作为一种使用非固态电解液的极化铝电解电容器，器件符合RoHS标准，适合DC-Link缓冲和滤波应用。除太阳能光伏逆变器，典型终端产品包括工业电机控制器和电源。
近距离和远距离STM32*无线系统芯片(SoC)。 STM32WL55JC sub-GHz远距离无线连接(LPWAN)系统芯片实现了LoRaWAN协议，并提供LoRa、(G)FSK、(G)MSK和BPSK调制方法。
另一个无线系统芯片STM32WB5MMG是一个2.4GHz Bluetooth®Low Energy和Zigbee®无线连接模块。每款产品都采用双核处理器， Arm®Cortex®-M4内核负责处理应用程序，Cortex-M0+内核专门管理射频通信。
MediaTek T830平台的特性还包括：
T830搭载的MediaTek M80调制解调器支持MediaTek 5G UltraSave省电技术，可根据5G网络环境优化工作模式，降低5G通信功耗。
M80调制解调器支持5G NSA/SA组网，可支持FDD和TDD混合模式的5G FR四载波聚合。
可支持5G双卡双待（DSDS）功能。
接口方面，T830支持3个PCI-Express、USB 3.2、速率高达10GbE的两个USXGMII接口，并通过PCM/SPI接口支持RJ11电话线。
支持3D Graphic和显示驱动。
支持RDK-B、prplOS和OpenSync等开源软件，符合运营商的开放操作系统框架规范。
MagI3C-VDMM系列是替代线性电源的首选。应用包括供电接口、微控制器、微处理器、DSP和FPGA。封装小、效率高（达87%），特别适用于移动设备和电池供电设备。可以通过单独的引脚将其设置为睡眠模式，从而进一步节省电力。
电源模块已经进行了EMC预测试，使用搭配的滤波器可以通过RE和CE测试，满足EN55032/CISPR32 B 类限值。
232层NAND也是目前速度最快的NAND产品。开放式NAND闪存接口（ONFI）使传输速率大大提高，达到2400MT/s，再次领先业界，比上一代技术提高50% 以上。此外双向带宽也有提高，相比176层产品，232层NAND的写入带宽提升可达100%，读取带宽提升超过75% 。
来源：eepw.如涉版权请联系删除。图片供参考
193 PUR-SI Solar系列电容器采用圆柱形铝壳，带泄压阀，用蓝色套筒绝缘，从35mmx30mm到35mm x60mm有五种封装尺寸。作为一种使用非固态电解液的极化铝电解电容器，器件符合RoHS标准，适合DC-Link缓冲和滤波应用。除太阳能光伏逆变器，典型终端产品包括工业电机控制器和电源。
近距离和远距离STM32*无线系统芯片(SoC)。 STM32WL55JC sub-GHz远距离无线连接(LPWAN)系统芯片实现了LoRaWAN协议，并提供LoRa、(G)FSK、(G)MSK和BPSK调制方法。
另一个无线系统芯片STM32WB5MMG是一个2.4GHz Bluetooth®Low Energy和Zigbee®无线连接模块。每款产品都采用双核处理器， Arm®Cortex®-M4内核负责处理应用程序，Cortex-M0+内核专门管理射频通信。
MediaTek T830平台的特性还包括：
T830搭载的MediaTek M80调制解调器支持MediaTek 5G UltraSave省电技术，可根据5G网络环境优化工作模式，降低5G通信功耗。
M80调制解调器支持5G NSA/SA组网，可支持FDD和TDD混合模式的5G FR四载波聚合。
可支持5G双卡双待（DSDS）功能。
接口方面，T830支持3个PCI-Express、USB 3.2、速率高达10GbE的两个USXGMII接口，并通过PCM/SPI接口支持RJ11电话线。
支持3D Graphic和显示驱动。
支持RDK-B、prplOS和OpenSync等开源软件，符合运营商的开放操作系统框架规范。
MagI3C-VDMM系列是替代线性电源的首选。应用包括供电接口、微控制器、微处理器、DSP和FPGA。封装小、效率高（达87%），特别适用于移动设备和电池供电设备。可以通过单独的引脚将其设置为睡眠模式，从而进一步节省电力。
电源模块已经进行了EMC预测试，使用搭配的滤波器可以通过RE和CE测试，满足EN55032/CISPR32 B 类限值。
232层NAND也是目前速度最快的NAND产品。开放式NAND闪存接口（ONFI）使传输速率大大提高，达到2400MT/s，再次领先业界，比上一代技术提高50% 以上。此外双向带宽也有提高，相比176层产品，232层NAND的写入带宽提升可达100%，读取带宽提升超过75% 。
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