新一代MagI3C VDMM电源模块：输出可变降压微型模块产品现在覆盖从3.3V到24V的所有总线电压，包括负载点电源，并可以直接与24V总线相连。

超宽输入电压，输入最高36V，使得模块可以可靠承受24V总线上的电压脉冲。微型模块针对空间有限的应用进行了优化，采用紧凑的LGA-8封装。可调输出电压范围为1V至6V，电流最高0.3A。

232层NAND基于经过验证的CMOS阵列下(CuA)架构，该架构为容量增长、密度增加、性能提升和成本降低提供了一个向上扩展的方法。通过增加NAND数据单元阵列堆叠层数， 能够增加每平方毫米晶圆上的比特数，进而提高存储密度，降低单位存储成本。

全球首发的232层NAND技术标志着美光第六代NAND 即将进入大规模量产。

突破性的超高堆叠层数和CuA技术使每颗芯片仅需极小的尺寸就可存储高达1Tb的容量，这意味着232层NAND的比特密度比上一代176层NAND高出45% 以上，多么惊人的容量提升.

密度的增加也进一步改善了封装规格，全新的11.5mmx13.5mm封装尺寸较前几代小28%。这些突破意味着大容量、高性能的存储产品将能搭载在更多类型的设备上。

BCcomponents 193 PUR-SI Solar新系列卡扣式功率铝电容器，额定电压和类别电压分别提升至570V和475V。

输入电压：90Vac to 264Vac；

最大输出功率：100W；

输出电压电流：5V/3A、9V/3A、12V/3A、15V/3A、20V/5A；

输出电压纹波：60mV Max；

功率密度：1.46W/cm3；

效率：92.3%& 92.9%@20V/3.25A，115Vac&230Vac。

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