5nm及4nm制程工艺的112G PAM4 SerDes IP全系列产品，该系列能够全面覆盖客户在高性能计算、交换芯片、人工智能、机器学习、安全及光通信等领域的广泛需求，包括：超长距（LR+）、长距（LR）、中距（MR）、超极短距（XSR+）以及极短距（XSR）。

混合信号以及数字信号处理（DSP）112G PAM4 SerDes架构均早已在台积电12nm 制程工艺下完成研发并投片验证，且已成功应用于Credo全系列铜连接以及光连接解决方案产品之中。

SerDes技术移植到台积电5nm及4nm先进工艺节点,以求帮助我们的合作伙伴和客户能够更顺畅的升级其产品,无缝衔接的集成我们业界领先的112G PAM4 IP在其大型单片或多芯片模组(MCM)主芯片当中。

应用：

打印机

多功能打印机（MFP）-    

自动取款机（ATM）

外币兑换机

监控摄像头

投影仪

特性：

小型QFN24封装：4.0mm×4.0mm（典型值）

恒流电机控制无需外部电流检测电阻。

电荷泵电路无需外接电容。

低功耗：睡眠模式IM1＝1μA（最大值）

600mA的同步降压转换器器件，输入电压范围为 4.5V 至 40V。它集成了了 600mΩ 的高侧功率 MOSFET和300mΩ的低侧功率MOSFET,可提供高效的降压转换 (效率达 90%)，且占用的 PCB 机板空间最小。AP64060Q专门设计用于汽车动力系统、信息娱乐系统和仪表组件，以及用于车辆的外部照明。

AP64060Q 具有非常低的静态电流 (IQ)，通常仅为 90μA，因此可提高轻负载效率。由于该器件支持快速开关频率 (2MHz)，因此可以选择更小的配套电感器和电容器。其同步整流无需外部的肖特基二极管，另外使用的峰值电流模式控制和内建回路补偿网络则更进一步减少组件的整体使用数量。