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1.0V以下低电压输出条件下或负载电流波动支持高性能设计

发布时间:2022/10/31 23:24:43 访问次数:117

新产品“BD9S402MUF-C”不仅满足ADAS用二次侧DC-DC转换器IC需要具备的开关工作频率2MHz、输出电流4A等基本要求,而且通过采用ROHM自有的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”,还可满足下一代SoC和微控制器要求的0.6V低电压输出(优于当前要求的1.0V输出)。

另外,还采用新确立的高速负载响应技术“QuiCur™”,实现了非常出色的稳定运行(负载响应特性)。即使在1.0V以下的低电压输出条件下或负载电流波动时,也可以将电压波动抑制在±5%以内,因此非常适用于高端ADAS的二次侧电源。

全新HYPERRAM™3.0存储器解决方案每个引脚的数据吞吐量远高于PSRAM、SDR DRAM等市面上现有的技术。其低功耗特性能够在不牺牲吞吐量的情况下实现更低的功耗,因此这款存储器是工业和物联网解决方案的理想选择。

HYPERRAM™是一款基于PSRAM的独立易失性存储器,它可提供一种经济实用的添加方式来扩展存储器。其数据速率与SDR DRAM相当,但所用的引脚数更少,功耗更低。

HyperBus™接口每个引脚的数据吞吐量更高,从而可以使用引脚数较少的微控制器(MCU)和层数较少的PCB,为目标应用提供复杂性更低以及成本更优化的的设计方案。

栅极电阻(Rg)的温度依赖性缩减50%,由此最大限度地减少高温下的开关损耗、低温下的尖峰电压和短路耐受时间,支持高性能设计.

可作为裸片(晶圆)提供,能够减少逆变器的功率损失。在相同的电流密度下,与目前的AE4工艺相比功率效率提升6%,使EV能够用更少的电池行驶更远的距离.

对于医疗应用,AEA800F输入到输出的隔离为2MOPP,输入到地为1MOPP,输出到地为1MOPP,因此适用于浮体(BF)应用。该产品已经通过了ANSI/AAMI ES60601-1和第三版EN60601-1认证。


来源:eepw.如涉版权请联系删除。图片供参考

新产品“BD9S402MUF-C”不仅满足ADAS用二次侧DC-DC转换器IC需要具备的开关工作频率2MHz、输出电流4A等基本要求,而且通过采用ROHM自有的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”,还可满足下一代SoC和微控制器要求的0.6V低电压输出(优于当前要求的1.0V输出)。

另外,还采用新确立的高速负载响应技术“QuiCur™”,实现了非常出色的稳定运行(负载响应特性)。即使在1.0V以下的低电压输出条件下或负载电流波动时,也可以将电压波动抑制在±5%以内,因此非常适用于高端ADAS的二次侧电源。

全新HYPERRAM™3.0存储器解决方案每个引脚的数据吞吐量远高于PSRAM、SDR DRAM等市面上现有的技术。其低功耗特性能够在不牺牲吞吐量的情况下实现更低的功耗,因此这款存储器是工业和物联网解决方案的理想选择。

HYPERRAM™是一款基于PSRAM的独立易失性存储器,它可提供一种经济实用的添加方式来扩展存储器。其数据速率与SDR DRAM相当,但所用的引脚数更少,功耗更低。

HyperBus™接口每个引脚的数据吞吐量更高,从而可以使用引脚数较少的微控制器(MCU)和层数较少的PCB,为目标应用提供复杂性更低以及成本更优化的的设计方案。

栅极电阻(Rg)的温度依赖性缩减50%,由此最大限度地减少高温下的开关损耗、低温下的尖峰电压和短路耐受时间,支持高性能设计.

可作为裸片(晶圆)提供,能够减少逆变器的功率损失。在相同的电流密度下,与目前的AE4工艺相比功率效率提升6%,使EV能够用更少的电池行驶更远的距离.

对于医疗应用,AEA800F输入到输出的隔离为2MOPP,输入到地为1MOPP,输出到地为1MOPP,因此适用于浮体(BF)应用。该产品已经通过了ANSI/AAMI ES60601-1和第三版EN60601-1认证。


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