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AEC-Q101车规级器件具有深度回弹特性和0.27Ω低电阻特性

发布时间:2022/10/28 13:09:20 访问次数:188

300mAh电池的手表,换装W5+后,可以多用15小时。

同时,工艺从12nm提升到4nm也可谓是飞跃。目前市面上的高端智能手表芯片中,Apple Watch的S7为7nm,三星Galaxy Watch 4的Exynos W920是5nm。

芯片基本架构上,CPU部分采用4颗Cortex A53,最大1.7GHz,加上1颗Cortex M55(250MHz)协处理器,集成双GPU,其中包括Adreno A702(1GHz),最大支持16GB LPDDR4内存。

功能特性还有支持超低功耗蓝牙5.3、双频GPS定位、北斗、4G网络、双频Wi-Fi(802.11n)、eMMC 4.5等。

在设计ESD保护解决方案方面拥有长期累积的专业知识,可实现超低器件电容(低至0.3pF),使这些二极管能够提供出色的信号完整性性能。为尽可能提高设计灵活性,这些二极管提供双线DFN1006-3和单线DFN1006BD-2两种封装。后一种封装具有可焊性侧面,可实现自动光学检测(AOI)。

这些AEC-Q101车规级器件具有深度回弹特性和0.27Ω低电阻特性,可提高高速数据接口中的系统级稳健性和钳位性能。

7A2000桥片首次集成龙芯自研的统一渲染架构GPU模块,核心频率400-500MHz,API图形接口支持OpenGL 2.1、OpenGL ES 2.0。

RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%,可最大限度降低能耗,提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能还表现在自发热降低,从而增强可穿戴设备的用户舒适度。

在VGS=4.5V时,PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分别为50mΩ和55mΩ。

因此,在市场上类似的30V MOSFET中,PMCB60XN和PMCB60XNE单个芯片面积导通电阻最低。此外,PMCB60XNE在集成于1.0mm×0.6mm×0.2mm的DSN1006小型外形中,还可提供额定2kV ESD保护(人体模型–HBM)。这两款MOSFET的额定漏极电流最高均可达4A。


300mAh电池的手表,换装W5+后,可以多用15小时。

同时,工艺从12nm提升到4nm也可谓是飞跃。目前市面上的高端智能手表芯片中,Apple Watch的S7为7nm,三星Galaxy Watch 4的Exynos W920是5nm。

芯片基本架构上,CPU部分采用4颗Cortex A53,最大1.7GHz,加上1颗Cortex M55(250MHz)协处理器,集成双GPU,其中包括Adreno A702(1GHz),最大支持16GB LPDDR4内存。

功能特性还有支持超低功耗蓝牙5.3、双频GPS定位、北斗、4G网络、双频Wi-Fi(802.11n)、eMMC 4.5等。

在设计ESD保护解决方案方面拥有长期累积的专业知识,可实现超低器件电容(低至0.3pF),使这些二极管能够提供出色的信号完整性性能。为尽可能提高设计灵活性,这些二极管提供双线DFN1006-3和单线DFN1006BD-2两种封装。后一种封装具有可焊性侧面,可实现自动光学检测(AOI)。

这些AEC-Q101车规级器件具有深度回弹特性和0.27Ω低电阻特性,可提高高速数据接口中的系统级稳健性和钳位性能。

7A2000桥片首次集成龙芯自研的统一渲染架构GPU模块,核心频率400-500MHz,API图形接口支持OpenGL 2.1、OpenGL ES 2.0。

RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%,可最大限度降低能耗,提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能还表现在自发热降低,从而增强可穿戴设备的用户舒适度。

在VGS=4.5V时,PMCB60XN和PMCB60XNE的最大RDS(on)分别为50mΩ和55mΩ。

因此,在市场上类似的30V MOSFET中,PMCB60XN和PMCB60XNE单个芯片面积导通电阻最低。此外,PMCB60XNE在集成于1.0mm×0.6mm×0.2mm的DSN1006小型外形中,还可提供额定2kV ESD保护(人体模型–HBM)。这两款MOSFET的额定漏极电流最高均可达4A。


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