新器件提供高达850mA的输出电流，并且无需金属散热片。这款高度集成的IC支持30至550VDC的宽输入电压，使电动汽车应用中的电子设备能够在低于要求的安全超低电压(SELV)阈值时正常启动和工作。

“随着电动汽车中的电子设备变得越来越复杂，汽车厂商需要更高的电源电流来驱动它们。

相较于LinkSwitch-TN2Q产品系列的其他器件，这款新IC的850mA额定值表示可用输出电流增加了230%。LinkSwitch-TN2Q IC采用SMD封装，内部集成控制、驱动器、保护电路和750V功率MOSFET，可大幅减少元件数量。

第一款模块A2F12M12W2-F1是一个四组模块，可为DC/DC转换器等电路提供方便紧凑的全桥功率变换解决方案。第二款模块A2U12M12W2-F2采用三电平T型逆变拓扑，导通能效和开关能效均很出色，输出电压质量稳定。

RDS(on) x 芯片面积品质因数非常出色，确保开关可以处理高电流，把功率损耗降至很低。每款芯片的典型导通电阻RDS(on)都是13mΩ，全桥拓扑和T型拓扑两款模块均可用于设计高功率应用，而低热耗散确保应用能效出色，热管理设计简单。

车规级OptiMOS™功率MOSFET产品组合，树立了20V-300V范围内的质量标杆，提供了多种封装和低至0.55 mΩ的Rds(on)。

该模型反应流经MOSFET的电流导致半导体的温度变化，进而影响MOSFET的电气参数，例如，电荷载流子迁移率、电压阈值、漏极电阻、栅漏电容和栅源电容。