片上数学增强器实时MCU的处理能力与常规功率驱动器
发布时间:2022/10/26 13:12:50 访问次数:96
LTC7050的驱动器与功率回路集成在同一裸片上,并且所有栅极驱动器的电容都在封装中。由于取消了键合线,每个驱动环路中的寄生电感接近于零。
与多芯片DrMOS模块相比,LTC7050开启和关闭功率器件的速度要快得多。开关节点电压的典型上升沿短至1ns。一流的驱动速度大大降低了转换损耗。高驱动速度允许LTC7050具有零死区时间,从而大大降低二极管导通和反向恢复损耗。
热环路的缩小导致寄生电感降低。此外,完全对称的布局消除了电磁场。比较了LTC7050布局与常规功率驱动器。
此小坑为芯片第1引脚的标识.
芯片上的文字为芯片的型号、厂商、生产日期等信息。
芯片上的三角也同样是用来标识引脚的。
从电路固中识别集成电路,维修电路时,通常需要参考电器设各的电路原理图来查找问题,下面结合电路图来识别电路图中的集成电路。集成电路一般用“X” “Y” “G”
等文字符号来表示,为电路图中的集成电路。
两侧的数字1-32为其引脚编号,内部的英文为其引脚功能说明.
微控制器(MCU)(有些甚至带有片上硬件加速器)可以通过更快的控制环路来实现这一目标。
为了将其提升到一个新的水平,配备快速片上模数转换器(ADC)和定制后处理功能的实时MCU可以进一步处理准确、快速的采样以及电流和电压的转换,从而减少整体实时信号链的延迟。
在微型外形尺寸下,在没有散热器的情况下减少散热成为一项挑战,而采用氮化镓和碳化硅等宽带隙功率器件来实现更高的开关频率并满足这些小设计尺寸可能会更加麻烦。
凭借其固有的架构和片上数学增强器,实时MCU的处理能力使复杂的时间关键型数据计算成为可能。
LTC7050的驱动器与功率回路集成在同一裸片上,并且所有栅极驱动器的电容都在封装中。由于取消了键合线,每个驱动环路中的寄生电感接近于零。
与多芯片DrMOS模块相比,LTC7050开启和关闭功率器件的速度要快得多。开关节点电压的典型上升沿短至1ns。一流的驱动速度大大降低了转换损耗。高驱动速度允许LTC7050具有零死区时间,从而大大降低二极管导通和反向恢复损耗。
热环路的缩小导致寄生电感降低。此外,完全对称的布局消除了电磁场。比较了LTC7050布局与常规功率驱动器。
此小坑为芯片第1引脚的标识.
芯片上的文字为芯片的型号、厂商、生产日期等信息。
芯片上的三角也同样是用来标识引脚的。
从电路固中识别集成电路,维修电路时,通常需要参考电器设各的电路原理图来查找问题,下面结合电路图来识别电路图中的集成电路。集成电路一般用“X” “Y” “G”
等文字符号来表示,为电路图中的集成电路。
两侧的数字1-32为其引脚编号,内部的英文为其引脚功能说明.
微控制器(MCU)(有些甚至带有片上硬件加速器)可以通过更快的控制环路来实现这一目标。
为了将其提升到一个新的水平,配备快速片上模数转换器(ADC)和定制后处理功能的实时MCU可以进一步处理准确、快速的采样以及电流和电压的转换,从而减少整体实时信号链的延迟。
在微型外形尺寸下,在没有散热器的情况下减少散热成为一项挑战,而采用氮化镓和碳化硅等宽带隙功率器件来实现更高的开关频率并满足这些小设计尺寸可能会更加麻烦。
凭借其固有的架构和片上数学增强器,实时MCU的处理能力使复杂的时间关键型数据计算成为可能。