新一代Bluetooth®LE 无线连接SoC芯片，该芯片内置了ARM的M4处理器和DSP指令集，可进行OPUS 16:1高质量低码率的语音编码，实现高准确度的语音识别，同时高达10dbm发射功率，提高了在复杂射频干扰环境下的蓝牙传输稳定性。

秉承炬芯科技低功耗设计技术，在保证性能的同时，针对语言遥控器产品大大降低功耗，待机功耗低至100nA。Bluetooth®LE 保持连接功耗接近15μA@564ms，语音传输<3mA。

芯片集成了红外发射驱动管和红外自学习电路，精简了遥控器方案外围电路。更是创新性地在32引脚的封装上实现了152键的矩阵扫描，可以用一颗芯片实现从十几键的遥控器，到全键盘带轨迹球的多种复杂遥控器方案。

两颗用于无线充电发射的智能全桥芯片NU8015Q和NU8040Q，支持15W和40W无线充电输出。

相较驱动器加独立MOS管的方案，伏达集成功率级不仅具有集成度高的优势，并且驱动器配合MOS管的方案，还需要分别进行AEC-Q100和AEC-Q101测试，伏达智能全桥还具有成本上的优势。

伏达NU8015Q和NU8040Q均为无线充电发射端智能控制芯片，芯片内部集成全桥MOS管和驱动器等电路，其中NU8015Q支持最高15W无线充电输出，支持4V-21V供电电压范围。NU8040Q支持40W无线充电输出，支持4V-21V供电电压范围，支持-40℃到105℃环境温度范围。

伏达NU8015Q和NU8040Q均为无线充电发射端智能控制芯片，芯片内部集成全桥MOS管和驱动器等电路，其中NU8015Q支持最高15W无线充电输出，支持4V-21V供电电压范围。NU8040Q支持40W无线充电输出，支持4V-21V供电电压范围，支持-40℃到105℃环境温度范围。

TOLL封装85V/360A超低通态电阻新品BLP02N08,具有导通电阻低,通流能力强,雪崩耐量高等特点：

导通电阻仅为1.2mΩ(Vgs=10V)，与主流竞品相当

通流能力高达360A，与主流竞品相当

EAS能力达到3025mJ，略高于主流竞品

总栅极电荷量为240nC，略低于主流竞品