场效应晶体管(Fleld Effect Translstor,FET)简称场效应管,是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。场效应管是电压控制电流器件,其放大能力较差,而三极管是电流控制电流器件,其放大能力较强。

场效应管实用知识的结构、工作原理和识别方法等知识对理解场效应管的特性和其在电路中的作用很重要;本节重点讲解这些实用知识。

下面先对结型场效应管加以介绍,为结型场效应管的结构图及电路图形符号。

场效应管的结构,场效应管的品种有很多,按其结构可分为两大类,一类是结型场效应管,另一类是绝缘栅型场效应管,而且每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。

场效应管―般都有3个极,即栅极G、漏极D和源极S,为方便理解可以把它们分别对应于三极管的基极B、集电极C和发射极Ec场效应管的源极S和漏极D结构是实际对称的,在使用中可以互换。

在一块N型(或P型)半导体棒两侧各做一个P型区(或N型区),就形成两个PN结。

把两个P区(或N区)并联在一起,引出一个电极,称为栅极(G),在N型(或P型)半导体棒的两端各引出一个电极,分别称为源极(S)和漏极(D)。夹在两个PN结中间的N区(或P区)是电流的通道,称为沟道。这种结构的管子称为N沟道(或P沟道)结型场效应管。

接下来对绝缘栅型场效应管加以讲解,为绝缘栅型场效应管的结构及符号。

以一块P型薄硅片作为衬底,在它上面做两个高杂质的N型区,分别作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物,然后用金属铝引出一个电极G(栅极)。这就是绝缘栅场效应管的基本结构。