新型Y2薄膜电容器的典型应用新工艺降低单位面积导通电阻
发布时间:2022/10/24 17:54:21 访问次数:165
PrestoMOS™“R60xxVNx系列”通过采用ROHM新工艺降低了单位面积的导通电阻。
由于与反向恢复时间之间存在权衡关系而很难同时兼顾的导通电阻,与同等普通产品相比,最多可减少20%(与TO-220FM同等封装产品相比),有助于进一步降低各种应用产品的功耗。
通常,当工艺向更微细的方向发展时,导通电阻等基本性能会得到改善,但与之存在此消彼长关系的反向恢复时间会变差。
由于抑制了额外的电流量,因此与同等的普通产品相比,开关过程中的功率损耗可以降低约17%。包括“R60xxYNx系列”在内的标准型且相同导通电阻产品的反向恢复时间约300~400ns(纳秒)。
用数字万用表“hFE”挡判断三极管极性现场检测实操.
目前,指针万用表和数字万用表都有三极管“hFE”测试功能。万用表面板上也有三极管插孔,插孔共有八个,按三极管电极的排列顺序排列,每四个一组,共两组,分别对应NPN型和PNP型。
判断三极管各引脚极性的方法。
第1步:判断三极管的类型及基极,然后表功能旋钮旋至“hFE”挡。
第2步:将找出的基极(b极)按该三极管的类型插入万用表对应类型的基极插孔,第一种插法读数为153。
B3202*H/J系列爱普科斯(EPCOS)MKP-Y2薄膜电容器。与最高工作温度为110°C的传统型号相比,B3202*H/J系列的最大工作温度达到了125°C。
电容根据容值的不同可以提供10mm(B32021H/J*)、15mm(B32022H/J*)、22.5mm(B32023H/J*)和27.5mm(B32024H/J*)和37.5mm(B32026H/J)的引线间距。所有元件的外壳和封装材料均具有UL94V-0的防火等级。
新型Y2薄膜电容器的典型应用包括滤波器和高工作温度条件下的干扰抑制应用,比如汽车应用。
特性和应用
主要应用
高工作温度条件下的干扰抑制应用,比如汽车应用
主要特点和优势
高工作温度:高达125°C
宽容值 范围:1nF至1μF
通过UL和EN认证,满足AEC-Q200标准
PrestoMOS™“R60xxVNx系列”通过采用ROHM新工艺降低了单位面积的导通电阻。
由于与反向恢复时间之间存在权衡关系而很难同时兼顾的导通电阻,与同等普通产品相比,最多可减少20%(与TO-220FM同等封装产品相比),有助于进一步降低各种应用产品的功耗。
通常,当工艺向更微细的方向发展时,导通电阻等基本性能会得到改善,但与之存在此消彼长关系的反向恢复时间会变差。
由于抑制了额外的电流量,因此与同等的普通产品相比,开关过程中的功率损耗可以降低约17%。包括“R60xxYNx系列”在内的标准型且相同导通电阻产品的反向恢复时间约300~400ns(纳秒)。
用数字万用表“hFE”挡判断三极管极性现场检测实操.
目前,指针万用表和数字万用表都有三极管“hFE”测试功能。万用表面板上也有三极管插孔,插孔共有八个,按三极管电极的排列顺序排列,每四个一组,共两组,分别对应NPN型和PNP型。
判断三极管各引脚极性的方法。
第1步:判断三极管的类型及基极,然后表功能旋钮旋至“hFE”挡。
第2步:将找出的基极(b极)按该三极管的类型插入万用表对应类型的基极插孔,第一种插法读数为153。
B3202*H/J系列爱普科斯(EPCOS)MKP-Y2薄膜电容器。与最高工作温度为110°C的传统型号相比,B3202*H/J系列的最大工作温度达到了125°C。
电容根据容值的不同可以提供10mm(B32021H/J*)、15mm(B32022H/J*)、22.5mm(B32023H/J*)和27.5mm(B32024H/J*)和37.5mm(B32026H/J)的引线间距。所有元件的外壳和封装材料均具有UL94V-0的防火等级。
新型Y2薄膜电容器的典型应用包括滤波器和高工作温度条件下的干扰抑制应用,比如汽车应用。
特性和应用
主要应用
高工作温度条件下的干扰抑制应用,比如汽车应用
主要特点和优势
高工作温度:高达125°C
宽容值 范围:1nF至1μF
通过UL和EN认证,满足AEC-Q200标准