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谐振(电感-电容或LC)将方波信号转换为正弦波形缓冲电路

发布时间:2022/10/17 8:35:04 访问次数:1725

VIPerGaN50使用与MASTERGAN系列相同的650V GaN晶体管,因此具有类似优势。例如,GaN的高电子迁移率意味着该器件可适用于高开关频率。因此,该器件可承受更大负载,同时减少损耗。有鉴于此,GaN可用于制造可输出更高功率、同时整体尺寸更小的电源。

缓冲电路缓解此类情况,但提高效率的最佳方法是软开关,这意味着在电压或电流为零时进行开关。为此,通过谐振(电感-电容或LC)将方波信号转换为正弦波形。在ZVS中,启动发生在曲线底部或谷底。工程师试图提高QR ZVS反激式转换器效率,而GaN正好给出一个新答案。

VIPerGaN50是此类别的首款产品,因此具有极大象征意义。把GaN作为业务发展重点,使用具有更高规格的晶体管。因此,未来的 VIPerGaN 型号将具有更高的输出功率。

两个Cortex-M4内核彼此完全同质。 使用一个Cortex-M4内核可以完成的任何任务也可以使用另一个 Cortex-M4内核进行。

IPU子系统的集成中断处理使其能够作为一个高效的控制单元。

嵌入式视觉引擎(EVE)模块是一种可编程成像和视觉处理引擎,旨在用于服务于客户电子成像和视觉应用的设备。其可编程性满足后期开发或硅后处理要求,并允许第三方或客户在成像和视觉产品中添加差异化功能。

EMIF模块提供DDR存储器类型之间的连接,并管理外部存储器和设备子系统之间的数据总线读/写访问,这些子系统对L3_MAIN互连和DMA功能具有主访问权限。

每个校正子多项式给出一个完整块的读取操作状态,包括512字节的数据、奇偶校验位和可选的备用区域数据字段,最大块大小为1023字节。计算基于Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)算法。错误定位模块(ELM)从这些校正子多项式中提取错误地址。

基于校正子多项式值,ELM可以检测错误、计算错误数量并给出每个错误位的位置。完成纠错算法不需要实际数据。可以在NAND闪存块的任何位置报告错误,包括奇偶校验位。

两个Cortex-M4内核均可用于运行RTOS、控制ISP、SIMCOP、DSS和其他功能等任务。在Cortex-M4内核之间分配各种任务以获得最佳性能是软件的责任。 

来源:21ic.如涉版权请联系删除。图片供参考


VIPerGaN50使用与MASTERGAN系列相同的650V GaN晶体管,因此具有类似优势。例如,GaN的高电子迁移率意味着该器件可适用于高开关频率。因此,该器件可承受更大负载,同时减少损耗。有鉴于此,GaN可用于制造可输出更高功率、同时整体尺寸更小的电源。

缓冲电路缓解此类情况,但提高效率的最佳方法是软开关,这意味着在电压或电流为零时进行开关。为此,通过谐振(电感-电容或LC)将方波信号转换为正弦波形。在ZVS中,启动发生在曲线底部或谷底。工程师试图提高QR ZVS反激式转换器效率,而GaN正好给出一个新答案。

VIPerGaN50是此类别的首款产品,因此具有极大象征意义。把GaN作为业务发展重点,使用具有更高规格的晶体管。因此,未来的 VIPerGaN 型号将具有更高的输出功率。

两个Cortex-M4内核彼此完全同质。 使用一个Cortex-M4内核可以完成的任何任务也可以使用另一个 Cortex-M4内核进行。

IPU子系统的集成中断处理使其能够作为一个高效的控制单元。

嵌入式视觉引擎(EVE)模块是一种可编程成像和视觉处理引擎,旨在用于服务于客户电子成像和视觉应用的设备。其可编程性满足后期开发或硅后处理要求,并允许第三方或客户在成像和视觉产品中添加差异化功能。

EMIF模块提供DDR存储器类型之间的连接,并管理外部存储器和设备子系统之间的数据总线读/写访问,这些子系统对L3_MAIN互连和DMA功能具有主访问权限。

每个校正子多项式给出一个完整块的读取操作状态,包括512字节的数据、奇偶校验位和可选的备用区域数据字段,最大块大小为1023字节。计算基于Bose-Chaudhuri-Hocquenghem(BCH)算法。错误定位模块(ELM)从这些校正子多项式中提取错误地址。

基于校正子多项式值,ELM可以检测错误、计算错误数量并给出每个错误位的位置。完成纠错算法不需要实际数据。可以在NAND闪存块的任何位置报告错误,包括奇偶校验位。

两个Cortex-M4内核均可用于运行RTOS、控制ISP、SIMCOP、DSS和其他功能等任务。在Cortex-M4内核之间分配各种任务以获得最佳性能是软件的责任。 

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