UF4C/SC SiC FET为设计人员提供了多种导通电阻和封装选项。

1200 V SiC FET的导通电阻(RDS(on))值为23mΩ至70mΩ，可采用三引线TO-247-3L封装或四引线TO-247-4L封装。TO-247-4L封装采用开尔文栅极，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。

UF4C/SC系列所有器件都可以用标准的0V至12V或15V栅极驱动电压安全驱动，从而在不改变栅极驱动电压的情况下，成为硅IGBT、FET或超级结器件的合适替代品。UF4C/SC SiC FET的其他主要特性包括：通过真正的5V阈值电压保持良好的阈值噪声容限、出色的反向恢复特性和内置ESD栅极保护箝位。

再将假设的C、E电极互换,重复上面步骤,比较两次测得的电阻大小。测得电阻小的那次,红表笔所接的引脚是集电极C,另一端是发射极E。

单列直插集成电路。所谓单列直插集成电路就是它的引脚只有一列,且引脚为直的(不是弯曲的).这类集成电路的引脚分布规律。

单列曲插集成电路。单列曲插集成电路的引脚也是呈一列排列的,但引脚不是直的,而是弯曲的,即相邻两个引脚的弯曲方向不同。是几种单列曲插集成电路的引脚分布规律。

集成电路的基本检测方法 集成电路的检测分为在线检测和脱机检测。

在线检测是测量集成电路各脚的直流电压,与集成电路各脚直流电压的标准值相比较,以此来判断集成电路质量的好坏。脱机检测是测量集成电路各脚间的直流电阻,并与集成电路各脚间直流电阻的标准值相比较,从而判断集成电路的好坏。

但是要注意,若因负载短路的原因,使大电流流过集成电路造成的损坏,在没有排除负载短路故障的情况下,用相同型号的集成块进行替换实验,其结果是造成集成块的又一次损坏,因此,替换实验的前提是必须保证负载不短路。