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二极管的电流不能超过最大整流电流值否则会烧坏二极管

发布时间:2022/10/14 12:55:24 访问次数:1877

三极管的主要参数种类很多,从晶体管手册中可查出三极管的型号、主要参数、主要用途和外形等,这些技术资料是正确选用三极管的主要依据.总的来说,有以下几类常用参数。

极间反向饱和电流 集电极一基极间反向饱和电流Icbo。.集电极一发射极间反向饱和电流Icbo。(叉称穿透电流)。Icbo=(1+B)Icbo。

极限参数 集电极最大允许电流rcM(当rc超过IcM时,B将下降到不能工作的地步);集电极最大允许耗散功率PcM(Pc=rcUcE,超过此值二极管会过热而烧坏);集电极一发射极间反向击穿电压%:R)cEO,当基极开路时,集电极一发射极间电压超过此值后会由电击穿导致热击穿而损坏管子。


双向触发二极管 双向触发二极管是对称性的二端半导体器件。常用来触发双向晶闸管,在电路中作过压保护等用途。双向触发二极管的外形、结构及电路符号。

用万用表R×1k或R×10k挡,测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二极管已击穿损坏。

二极管的主要参数,最大整流电流IFM 指在长期使用时,二极管能通过的最大正向平均电流值。通过二极管的电流不能超过最大整流电流值,否则会烧坏二极管。锗二极管的最大整流电流一般在几十毫安以下,硅二极管的最大整流电流可达数百安。

加反向电压截止 如果将电源正极与二极管负极相连,电源负极与二极管正极相连,则称为反向偏置,简称反偏。此时二极管内部呈现较大的电阻,几乎无电流通过,二极管的状态为反向截止状态。由上可知,二极管加正偏压时导通,加反偏压时截止,即单向导电性,是二极管最重要的特性。

正向特性,当二极管正向偏置时的电压与电流特性。

死区:二极管的两端虽加正向电压.但因为此正向电压较小n二极管仍处于截止状态。死区电压(阈值电压):锗管为0,1V;硅管约为0.5V。

正向导通区:当加在二极管两端的电压大于死区电压之后。二极管由截止变为导通,流过二极管的电流很快地上升,即工极管正向电流在相当大的范围内变.而二极。


三极管的主要参数种类很多,从晶体管手册中可查出三极管的型号、主要参数、主要用途和外形等,这些技术资料是正确选用三极管的主要依据.总的来说,有以下几类常用参数。

极间反向饱和电流 集电极一基极间反向饱和电流Icbo。.集电极一发射极间反向饱和电流Icbo。(叉称穿透电流)。Icbo=(1+B)Icbo。

极限参数 集电极最大允许电流rcM(当rc超过IcM时,B将下降到不能工作的地步);集电极最大允许耗散功率PcM(Pc=rcUcE,超过此值二极管会过热而烧坏);集电极一发射极间反向击穿电压%:R)cEO,当基极开路时,集电极一发射极间电压超过此值后会由电击穿导致热击穿而损坏管子。


双向触发二极管 双向触发二极管是对称性的二端半导体器件。常用来触发双向晶闸管,在电路中作过压保护等用途。双向触发二极管的外形、结构及电路符号。

用万用表R×1k或R×10k挡,测量双向触发二极管正、反向电阻值。正常时其正、反向电阻值均应为无穷大。若测得正、反向电阻值均很小或为0,则说明该二极管已击穿损坏。

二极管的主要参数,最大整流电流IFM 指在长期使用时,二极管能通过的最大正向平均电流值。通过二极管的电流不能超过最大整流电流值,否则会烧坏二极管。锗二极管的最大整流电流一般在几十毫安以下,硅二极管的最大整流电流可达数百安。

加反向电压截止 如果将电源正极与二极管负极相连,电源负极与二极管正极相连,则称为反向偏置,简称反偏。此时二极管内部呈现较大的电阻,几乎无电流通过,二极管的状态为反向截止状态。由上可知,二极管加正偏压时导通,加反偏压时截止,即单向导电性,是二极管最重要的特性。

正向特性,当二极管正向偏置时的电压与电流特性。

死区:二极管的两端虽加正向电压.但因为此正向电压较小n二极管仍处于截止状态。死区电压(阈值电压):锗管为0,1V;硅管约为0.5V。

正向导通区:当加在二极管两端的电压大于死区电压之后。二极管由截止变为导通,流过二极管的电流很快地上升,即工极管正向电流在相当大的范围内变.而二极。


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